DTA123JUBTL

DTA123JUBTL Rohm Semiconductor Транзистор

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор MOSFET
• Номинальное напряжение на дrain-source (Vds): 45 В
• Размер тока (Ids): 8 А при Vgs = 10 В
• Минимальное значение тока утечки (Ioff): 10 nA при Vgs = -2 V
• Коэффициент передачи (Kon): 70 μS/cm²
• Плюсы:
• Высокая скорость включения и выключения
• Низкий коэффициент утечки при отключенном токе
• Устойчивость к электрическим шумам
• Малые размеры и легкость в интеграции в различные устройства
• Минусы:
• Относительная чувствительность к перегреву
• Необходимость соблюдения правильных условий работы для предотвращения повреждений
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения
• Амплитудная модуляция сигнала
• Переключение нагрузки
• Уменьшение потерь энергии
• В каких устройствах применяется:
• Мобильные устройства
• Автомобили
• Электронные приборы
• Инверторы
• Приводы двигателей