Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DTC114EEFRATL
  • В избранное
  • В сравнение
DTC114EEFRATL

DTC114EEFRATL

DTC114EEFRATL
;
DTC114EEFRATL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    DTC114EEFRATL
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3Все характеристики

Минимальная цена DTC114EEFRATL при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC114EEFRATL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC114EEFRATL

DTC114EEFRATL – это NPN биполярный транзистор, произведённый Rohm Semiconductor, предназначенный для предварительного смещения (pre-bias). Он относится к серии EMT3 и имеет мощность рассеяния 150 мВт.

  • Основные параметры:
  • Тип транзистора: NPN
  • Мощность рассеяния (Pd): 150 мВт
  • Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 50 В (типичное значение, требует уточнения по datasheet)
  • Ток коллектора (Ic): 100 мА (типичное значение, требует уточнения по datasheet)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 100-300 (зависит от Ic, требует уточнения по datasheet)
  • Корпус: EMT3 (SOT-23)

Плюсы:

  • Малый размер корпуса SOT-23, что позволяет использовать в компактных устройствах.
  • Предварительное смещение упрощает схему и повышает стабильность работы.
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) обеспечивает эффективное переключение.

Минусы:

  • Относительно небольшая мощность рассеяния (150 мВт).
  • Ограниченные параметры по напряжению и току по сравнению с более крупными транзисторами.

Общее назначение:

DTC114EEFRATL предназначен для использования в качестве усилителя или переключателя в различных электронных схемах, где требуется малый размер и предварительное смещение.

Применение:

  • Усилители звуковой частоты
  • Логические схемы
  • Драйверы светодиодов
  • Переключатели
  • Портативные устройства
  • Бытовая электроника
Выбрано: Показать

Характеристики DTC114EEFRATL

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500nA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    EMT3
  • Base Product Number
    DTC114

Техническая документация

 DTC114EEFRATL.pdf
pdf. 0 kb
  • 4199 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    63 ₽
  • 100
    24 ₽
  • 1000
    15.8 ₽
  • 6000
    12 ₽
  • 15000
    10.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    DTC114EEFRATL
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3Все характеристики

Минимальная цена DTC114EEFRATL при покупке от 1 шт 63.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC114EEFRATL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC114EEFRATL

DTC114EEFRATL – это NPN биполярный транзистор, произведённый Rohm Semiconductor, предназначенный для предварительного смещения (pre-bias). Он относится к серии EMT3 и имеет мощность рассеяния 150 мВт.

  • Основные параметры:
  • Тип транзистора: NPN
  • Мощность рассеяния (Pd): 150 мВт
  • Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 50 В (типичное значение, требует уточнения по datasheet)
  • Ток коллектора (Ic): 100 мА (типичное значение, требует уточнения по datasheet)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): 100-300 (зависит от Ic, требует уточнения по datasheet)
  • Корпус: EMT3 (SOT-23)

Плюсы:

  • Малый размер корпуса SOT-23, что позволяет использовать в компактных устройствах.
  • Предварительное смещение упрощает схему и повышает стабильность работы.
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) обеспечивает эффективное переключение.

Минусы:

  • Относительно небольшая мощность рассеяния (150 мВт).
  • Ограниченные параметры по напряжению и току по сравнению с более крупными транзисторами.

Общее назначение:

DTC114EEFRATL предназначен для использования в качестве усилителя или переключателя в различных электронных схемах, где требуется малый размер и предварительное смещение.

Применение:

  • Усилители звуковой частоты
  • Логические схемы
  • Драйверы светодиодов
  • Переключатели
  • Портативные устройства
  • Бытовая электроника
Выбрано: Показать

Характеристики DTC114EEFRATL

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500nA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    EMT3
  • Base Product Number
    DTC114

Техническая документация

 DTC114EEFRATL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC024EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC023YMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC023EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA024EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC014EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC043TMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA023JMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3F
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA014EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC123YKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    39.5Кешбэк 5 баллов
    DTC114EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC144EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC113ZKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC123JKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143ZKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA124EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC013ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.15W SC89
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC123EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA044EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114WUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA013ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC124XKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC923TUBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114TKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143XUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA123EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143ZUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA114EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA114EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП