Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DTC115EET1

DTC115EET1

DTC115EET1
;
DTC115EET1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DTC115EET1 при покупке от 5453 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC115EET1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC115EET1

DTC115EET1 onsemi TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: NPN
    • Максимальная мощность: 200 Ватт
    • Номинальное напряжение коллектора: 300 В
    • Предвыведенная база (prebias)
    • Объемный коэффициент температурной компенсации (Vbe): -2 мВ/°C
    • Максимальная частота: 100 кГц
    • Тип корпуса: SC75
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое сопротивление в базе
    • Простота использования благодаря предвыведенной базе
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
    • Необходимость точного регулирования напряжения базы для поддержания заданной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в сильнодинамических аудио усилителях
    • Применение в радиоуправляемых моделях и транспортных средствах
    • Создание мощных линейных усилителей
    • Работа в системах питания с высокой мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудио усилители
    • Коммунальные трансформаторы
    • Мощные радиоприемники и передатчики
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные усилители
Выбрано: Показать

Характеристики DTC115EET1

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    DTC115

Техническая документация

DTC115EET1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 5453 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DTC115EET1 при покупке от 5453 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC115EET1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC115EET1

DTC115EET1 onsemi TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

  • Основные параметры:
    • Тип транзистора: NPN
    • Максимальная мощность: 200 Ватт
    • Номинальное напряжение коллектора: 300 В
    • Предвыведенная база (prebias)
    • Объемный коэффициент температурной компенсации (Vbe): -2 мВ/°C
    • Максимальная частота: 100 кГц
    • Тип корпуса: SC75
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое сопротивление в базе
    • Простота использования благодаря предвыведенной базе
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
    • Необходимость точного регулирования напряжения базы для поддержания заданной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в сильнодинамических аудио усилителях
    • Применение в радиоуправляемых моделях и транспортных средствах
    • Создание мощных линейных усилителей
    • Работа в системах питания с высокой мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудио усилители
    • Коммунальные трансформаторы
    • Мощные радиоприемники и передатчики
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильные усилители
Выбрано: Показать

Характеристики DTC115EET1

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    DTC115

Техническая документация

DTC115EET1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 5453 шт