Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DTD543EETL

DTD543EETL

DTD543EETL
;
DTD543EETL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DTD543EETL при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTD543EETL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTD543EETL

DTD543EETL Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор с предвключением
    • Максимальная мощность: 150 ВА
    • Максимальное напряжение: 300 В
    • Максимальный ток: 20 А
    • Рабочая температура: от -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильность характеристик при широком диапазоне рабочих температур
    • Надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требует дополнительных компонентов для управления
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокомощных системах
    • Контроль мощных электрических цепей
    • Применяется в промышленном оборудовании, автомобильной электронике и других областях, требующих высокую мощность
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем)
    • Промышленное оборудование (моторы, преобразователи)
    • Системы питания
    • Электронные устройства высокой мощности
Выбрано: Показать

Характеристики DTD543EETL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    115 @ 100mA, 2V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    260 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    EMT3
  • Base Product Number
    DTD543

Техническая документация

DTD543EETL.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DTD543EETL при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTD543EETL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTD543EETL

DTD543EETL Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор с предвключением
    • Максимальная мощность: 150 ВА
    • Максимальное напряжение: 300 В
    • Максимальный ток: 20 А
    • Рабочая температура: от -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Стабильность характеристик при широком диапазоне рабочих температур
    • Надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными транзисторами
    • Требует дополнительных компонентов для управления
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокомощных системах
    • Контроль мощных электрических цепей
    • Применяется в промышленном оборудовании, автомобильной электронике и других областях, требующих высокую мощность
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем)
    • Промышленное оборудование (моторы, преобразователи)
    • Системы питания
    • Электронные устройства высокой мощности
Выбрано: Показать

Характеристики DTD543EETL

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    115 @ 100mA, 2V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    260 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    EMT3
  • Base Product Number
    DTD543

Техническая документация

DTD543EETL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории