Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
DXT651Q-13
  • В избранное
  • В сравнение
DXT651Q-13

DXT651Q-13

DXT651Q-13
;
DXT651Q-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DXT651Q-13
  • Описание:
    TRANS NPN 60V 3A SOT89-3Все характеристики

Минимальная цена DXT651Q-13 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DXT651Q-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DXT651Q-13

DXT651Q-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 3А
    • Форм-фактор: SOT89-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Могут быть чувствительны к электромагнитному шуму
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания для регулирования напряжения
    • Коммутация сигналов в цифровых системах
    • Обеспечение блокировки обратного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Электронные устройства для управления нагрузкой
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики DXT651Q-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 300mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Трансформация частоты
    140MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-89-3
  • Base Product Number
    DXT651

Техническая документация

 DXT651Q-13.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DXT651Q-13
  • Описание:
    TRANS NPN 60V 3A SOT89-3Все характеристики

Минимальная цена DXT651Q-13 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DXT651Q-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DXT651Q-13

DXT651Q-13 Diodes Incorporated TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальный ток: 3А
    • Форм-фактор: SOT89-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость перехода
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогами
    • Могут быть чувствительны к электромагнитному шуму
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания для регулирования напряжения
    • Коммутация сигналов в цифровых системах
    • Обеспечение блокировки обратного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Электронные устройства для управления нагрузкой
    • Источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики DXT651Q-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    3 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 300mA, 3A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Трансформация частоты
    140MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-89-3
  • Base Product Number
    DXT651

Техническая документация

 DXT651Q-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE215TRANS NPN DARL 100V 8A TO3P
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE176TRANS PNP 2A TO39
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE2320TRANS NPN 30V 0.5A 14DIP
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE131TRANS PNP 32V 1A TO66
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE384TRANS NPN 350V 7A TO66
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE382TRANS NPN 100V 1A TO92L
    1 134Кешбэк 170 баллов
    NTE32TRANS PNP 160V 1A TO92L
    1 151Кешбэк 172 балла
    NTE31TRANS NPN 160V 1A TO92L
    1 159Кешбэк 173 балла
    NTE297TRANS NPN 80V 0.5A TO92
    1 242Кешбэк 186 баллов
    NTE154TRANS NPN 300V TO39
    1 305Кешбэк 195 баллов
    NTE331TRANS NPN 100V 15A TO220
    1 334Кешбэк 200 баллов
    NTE399TRANS NPN 300V 0.1A TO92L
    1 359Кешбэк 203 балла
    NTE306TRANS NPN 50V 1.5A TO202
    1 389Кешбэк 208 баллов
    NTE263TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
    1 451Кешбэк 217 баллов
    NTE123TRANS NPN 40V 0.8A TO39
    1 528Кешбэк 229 баллов
    NTE376TRANS NPN 300V 0.2A TO220
    1 534Кешбэк 230 баллов
    NTE332TRANS PNP 100V 15A TO220
    1 567Кешбэк 235 баллов
    NTE251TRANS NPN DARL 100V 20A TO3
    1 630Кешбэк 244 балла
    NTE394TRANS NPN 400V 3A TO3PN
    1 792Кешбэк 268 баллов
    NTE243TRANS NPN DARL 80V 8A TO3
    2 034Кешбэк 305 баллов
    NTE281TRANS PNP 140V 12A TO3
    2 038Кешбэк 305 баллов
    NTE94TRANS NPN 300V 5A TO3
    2 088Кешбэк 313 баллов
    NTE163ATRANS NPN 700V 5A TO3
    2 097Кешбэк 314 баллов
    NTE100TRANS PNP 24V 0.1A TO5
    2 107Кешбэк 316 баллов
    NTE102TRANS PNP 24V 0.15A TO5
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE52TRANS NPN 450V 5A TO3
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE2324TRANS NPN 800V 8A TO3PML
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE2309TRANS NPN 800V 12A TO3P
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE101TRANS NPN 25V 0.3A TO5
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE126TRANS PNP 15V TO18
    2 223Кешбэк 333 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП