Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
DZ800S17K3HOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
DZ800S17K3HOSA1

DZ800S17K3HOSA1

DZ800S17K3HOSA1
;
DZ800S17K3HOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DZ800S17K3HOSA1
  • Описание:
    DIODE MODULE GP 1700V AG62MM-2Все характеристики

Минимальная цена DZ800S17K3HOSA1 при покупке от 1 шт 27655.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DZ800S17K3HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DZ800S17K3HOSA1

DZ800S17K3HOSA1 Infineon Technologies DIODE MODULE GP 1700V AG62MM-2 — это диодный модуль Infineon с высоким напряжением. Основные параметры:

  • Напряжение срабатывания: 1700В
  • Максимальная токовая способность: 800А
  • Класс теплового распределения: K3
  • Тип корпуса: AG62MM-2

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокие технические характеристики
  • Удобство монтажа благодаря компактному корпусу

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
  • Необходимость использования дополнительного охлаждения для достижения максимальной мощности

Общее назначение:

  • Использование в силовых электронных устройствах
  • Защита от обратного тока
  • Регулировка напряжения

Применяется в:

  • Системах управления приводами
  • Инверторах
  • Энергосберегающих устройствах
  • Стабилизаторах напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DZ800S17K3HOSA1

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1700 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.2 V @ 800 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    780 A @ 900 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-62MM-2
  • Base Product Number
    DZ800S17

Техническая документация

 DZ800S17K3HOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 14 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    27 655 ₽
  • 10
    24 633 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DZ800S17K3HOSA1
  • Описание:
    DIODE MODULE GP 1700V AG62MM-2Все характеристики

Минимальная цена DZ800S17K3HOSA1 при покупке от 1 шт 27655.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DZ800S17K3HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DZ800S17K3HOSA1

DZ800S17K3HOSA1 Infineon Technologies DIODE MODULE GP 1700V AG62MM-2 — это диодный модуль Infineon с высоким напряжением. Основные параметры:

  • Напряжение срабатывания: 1700В
  • Максимальная токовая способность: 800А
  • Класс теплового распределения: K3
  • Тип корпуса: AG62MM-2

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокие технические характеристики
  • Удобство монтажа благодаря компактному корпусу

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
  • Необходимость использования дополнительного охлаждения для достижения максимальной мощности

Общее назначение:

  • Использование в силовых электронных устройствах
  • Защита от обратного тока
  • Регулировка напряжения

Применяется в:

  • Системах управления приводами
  • Инверторах
  • Энергосберегающих устройствах
  • Стабилизаторах напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DZ800S17K3HOSA1

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1700 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.2 V @ 800 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    780 A @ 900 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-62MM-2
  • Base Product Number
    DZ800S17

Техническая документация

 DZ800S17K3HOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAT54TWP_R1_00001SOT-363, SKY
    107Кешбэк 16 баллов
    RB085BM-40FHTLДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE
    220Кешбэк 33 балла
    CMPSH-3CG TR PBFREEDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    RBR20BGE60ATL60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
    526Кешбэк 78 баллов
    BAS70-04W-AQДиод: SchottkyD, 70V, 0.07A
    48Кешбэк 7 баллов
    CMSD2005S TR PBFREEDIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323
    133Кешбэк 19 баллов
    RB098BM-30TLSUPER LOW IR, 30V, 6A, TO-252 (D
    274Кешбэк 41 балл
    DSEC16-12AS-TRLDIODE ARRAY GP 1200V 10A TO263AB
    954Кешбэк 143 балла
    DAN202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    RB088BM-30TLSUPER LOW IR, 30V, 10A, TO-252 (
    309Кешбэк 46 баллов
    RBR15BGE40ATL40V, 15A, TO-252, CATHODE COMMON
    387Кешбэк 58 баллов
    RB298NS100FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 100V 30A LPDS
    400Кешбэк 60 баллов
    V40PWM10C-M3/IDIODE ARRAY SCHOTT 100V SLIMDPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NRVSRD620VCTT4RGDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
    185Кешбэк 27 баллов
    SK3080CD2Диод: SCHOTTKY D2PAK 80V 30A
    271Кешбэк 40 баллов
    MMBD3004BRM_R1_00001Диод: SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITC
    72Кешбэк 10 баллов
    BAV199HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-6CVH02-M3/IDIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    RB088BM-60FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A TO252
    258Кешбэк 38 баллов
    BAS40-05WBAS40 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
    42Кешбэк 6 баллов
    BAS16DW-AQДиод: DIODE SOT-363 100V 0.2A 4NS
    8.8Кешбэк 1 балл
    BAW56-AU_R1_000A1Диод: SOT-23, SWITCHING
    21Кешбэк 3 балла
    RBR10BM40AFHTLДиод: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 10A TO252
    226Кешбэк 33 балла
    RBR20BM30AFHTLДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 20A
    419Кешбэк 62 балла
    BAV170-TPДиод: 250MWDUALSERIESSWITCHINGDIODESOT
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAT54A-AU_R1_000A1SOT-23, SKY
    33.3Кешбэк 4 балла
    VS-20CTH03S-M3Диод: DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
    154Кешбэк 23 балла
    CUD6-02C TR13 PBFREEDIODE GEN PURP 200V 6A DPAK
    109Кешбэк 16 баллов
    DSP8-08S-TRLDIODE ARRAY GP 800V 11A TO263
    904Кешбэк 135 баллов
    V40PWM45C-M3/IDIODE ARRAY SCHOTT 45V SLIMDPAK
    287Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП