Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
E3M0075120K
E3M0075120K

E3M0075120K

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    E3M0075120K
  • Описание:
    1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETВсе характеристики

Минимальная цена E3M0075120K при покупке от 1 шт 3919.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить E3M0075120K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики E3M0075120K

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    97.5mOhm @ 17.9A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +19V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1480 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    145W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 E3M0075120K.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 372 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 919 ₽
  • 10
    2 269 ₽
  • 120
    1 918 ₽
  • 510
    1 856 ₽
  • 1020
    1 839 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    E3M0075120K
  • Описание:
    1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETВсе характеристики

Минимальная цена E3M0075120K при покупке от 1 шт 3919.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить E3M0075120K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики E3M0075120K

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    32A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    97.5mOhm @ 17.9A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +19V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1480 pF @ 1000 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    145W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 E3M0075120K.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NVTFS5C658NLTAGMOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
    316Кешбэк 47 баллов
    IPB123N10N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    395Кешбэк 59 баллов
    SQM110P06-8M9L_GE3MOSFET P-CH 60V 110A TO263
    773Кешбэк 115 баллов
    2SK1460LSN-CHANNEL SILICON MOSFET
    737Кешбэк 110 баллов
    NTMFS020N06CT1GMOSFET N-CH 60V 9A/28A 5DFN
    167Кешбэк 25 баллов
    SUM40012EL-GE3MOSFET N-CH 40V 150A TO263
    630Кешбэк 94 балла
    STL3N65M2MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
    130Кешбэк 19 баллов
    NTMFS5H414NLT1GMOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN
    1 097Кешбэк 164 балла
    IPT014N08NM5ATMA1MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
    1 099Кешбэк 164 балла
    IPP80R1K2P7XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
    266Кешбэк 39 баллов
    NTTFS4C02NTAGMOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
    86Кешбэк 12 баллов
    UPA653TT-E1-AMOSFET P-CH 30V 2.5A 6WSOF
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ5E030RPTLMOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
    129Кешбэк 19 баллов
    SISH615ADN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
    154Кешбэк 23 балла
    NP22N055HLE-S16-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    198Кешбэк 29 баллов
    EPC2024GANFET NCH 40V 60A DIE
    1 725Кешбэк 258 баллов
    IAUS300N08S5N014TATMA1MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
    1 089Кешбэк 163 балла
    IRF433N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 594Кешбэк 239 баллов
    NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    489Кешбэк 73 балла
    SIHD1K4N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
    320Кешбэк 48 баллов
    IPD60R1K5PFD7SAUMA1MOSFET N-CH 650V 3.6A TO252
    195Кешбэк 29 баллов
    NVBG040N120SC1TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
    3 689Кешбэк 553 балла
    STP33N60M6MOSFET N-CH 600V 25A TO220
    830Кешбэк 124 балла
    NVMYS008N08LHTWGT8 80V LL LFPAK
    358Кешбэк 53 балла
    NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
    347Кешбэк 52 балла
    IPW60R055CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
    1 515Кешбэк 227 баллов
    SIHH120N60E-T1-GE3MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
    1 145Кешбэк 171 балл
    SI2369DS-T1-BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    107Кешбэк 16 баллов
    SQM47N10-24L_GE3MOSFET N-CH 100V 47A TO263
    570Кешбэк 85 баллов
    NTMT090N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 191Кешбэк 178 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП