Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
E3M0120090J
E3M0120090J

E3M0120090J

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    E3M0120090J
  • Описание:
    900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена E3M0120090J при покупке от 1 шт 2999.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить E3M0120090J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики E3M0120090J

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155mOhm @ 15A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +15V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    414 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    E3M0120090
Техническая документация
 E3M0120090J.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 22 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 999 ₽
  • 10
    1 660 ₽
  • 100
    1 604 ₽
  • 500
    1 580 ₽
  • 1000
    1 571 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    E3M0120090J
  • Описание:
    900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена E3M0120090J при покупке от 1 шт 2999.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить E3M0120090J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики E3M0120090J

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155mOhm @ 15A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +15V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    414 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    E3M0120090
Техническая документация
 E3M0120090J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UPA2738GR-E1-AXMOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
    282Кешбэк 42 балла
    2SK3570-ZK-E1-AZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    262Кешбэк 39 баллов
    TK170V65Z,LQMOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
    993Кешбэк 148 баллов
    RBA250N10CHPF-4UA02#GB0MP-25LZU
    1 150Кешбэк 172 балла
    IXFP22N65X2MMOSFET N-CH 650V 22A TO220
    962Кешбэк 144 балла
    SISA35DN-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
    106Кешбэк 15 баллов
    NVMFS5C628NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
    563Кешбэк 84 балла
    SI2328DS-T1-BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
    206Кешбэк 30 баллов
    NTD6N40-001-MONFET DPAK 400V 1.1R
    344Кешбэк 51 балл
    IPB60R090CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2
    957Кешбэк 143 балла
    SPP03N60S5XKSA1LOW POWER_LEGACY
    135Кешбэк 20 баллов
    NVMFS6H824NLWFT1GMOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
    610Кешбэк 91 балл
    IPD60R1K0CEAUMA1CONSUMER
    149Кешбэк 22 балла
    SI2308BDS-T1-BE3Транзистор: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
    148Кешбэк 22 балла
    SQ4153EY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
    399Кешбэк 59 баллов
    TSM4424CS RVGMOSFET N-CHANNEL 20V 8A 8SOP
    182Кешбэк 27 баллов
    MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    58Кешбэк 8 баллов
    SQ1464EEH-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
    89Кешбэк 13 баллов
    PJW5N10A_R2_00001100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
    142Кешбэк 21 балл
    2SK1464N-CHANNEL POWER MOSFET
    1 345Кешбэк 201 балл
    IPP60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
    740Кешбэк 111 баллов
    TK12A80W,S4XMOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
    740Кешбэк 111 баллов
    BSZ0589NSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
    193Кешбэк 28 баллов
    IPA126N10NM3SXKSA1MOSFET N-CH 100V 39A TO220
    465Кешбэк 69 баллов
    2N7002T-TPMOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
    53Кешбэк 7 баллов
    R6015KNXТранзистор: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
    517Кешбэк 77 баллов
    BSZ240N12NS3GATMA1MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
    364Кешбэк 54 балла
    R6535KNZ4C13650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
    816Кешбэк 122 балла
    C3M0350120DSICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
    1 354Кешбэк 203 балла
    SQJ415EP-T1_BE3P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    279Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП