Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
ECH8320-TL-H

ECH8320-TL-H

ECH8320-TL-H
;
ECH8320-TL-H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена ECH8320-TL-H при покупке от 3000 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ECH8320-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ECH8320-TL-H

Что это: ECH8320-TL-H — это полупроводниковый транзистор с полупроводниковым каналом (P-канальный MOSFET) производства ON Semiconductor. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20 В
    • Номинальный ток: 9,5 А
    • Форм-фактор: SOT28FL
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Компактная конструкция благодаря форм-фактору SOT28FL
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правильную установку для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Уменьшение энергопотерь в электронных устройствах
    • Регулирование напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики ECH8320-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2300 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-28FL/ECH8
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • по запросу
Минимально и кратно 3000 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена ECH8320-TL-H при покупке от 3000 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ECH8320-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ECH8320-TL-H

Что это: ECH8320-TL-H — это полупроводниковый транзистор с полупроводниковым каналом (P-канальный MOSFET) производства ON Semiconductor. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20 В
    • Номинальный ток: 9,5 А
    • Форм-фактор: SOT28FL
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Компактная конструкция благодаря форм-фактору SOT28FL
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правильную установку для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Уменьшение энергопотерь в электронных устройствах
    • Регулирование напряжения и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики ECH8320-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2300 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-28FL/ECH8
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3000 шт