Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
ECH8602M-TL-H

ECH8602M-TL-H

ECH8602M-TL-H
;
ECH8602M-TL-H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена ECH8602M-TL-H при покупке от 874 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ECH8602M-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ECH8602M-TL-H

Транзистор ECH8602M-TL-H от ON Semiconductor

  • MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 30В
    • Максимальный ток (ID): 6А
    • Питательное сопротивление (RDS(on)): ≤150мΩ
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком питательном сопротивлении
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
    • Низкий динамический ток при открытом состоянии
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение и регулирование тока в электрических цепях
    • Уменьшение потерь энергии в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Электронные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать

Характеристики ECH8602M-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 3A, 4.5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    8-ECH
  • Base Product Number
    ECH8602

Техническая документация

ECH8602M-TL-H.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 874 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена ECH8602M-TL-H при покупке от 874 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ECH8602M-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ECH8602M-TL-H

Транзистор ECH8602M-TL-H от ON Semiconductor

  • MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(ON)): 30В
    • Максимальный ток (ID): 6А
    • Питательное сопротивление (RDS(on)): ≤150мΩ
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком питательном сопротивлении
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
    • Низкий динамический ток при открытом состоянии
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение и регулирование тока в электрических цепях
    • Уменьшение потерь энергии в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи напряжения
    • Электронные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать

Характеристики ECH8602M-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 3A, 4.5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    1.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    8-ECH
  • Base Product Number
    ECH8602

Техническая документация

ECH8602M-TL-H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 874 шт