Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
EFC6601R-TR
EFC6601R-TR

EFC6601R-TR

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC6601R-TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCPВсе характеристики

Минимальная цена EFC6601R-TR при покупке от 1 шт 209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC6601R-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EFC6601R-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFBGA, FCBGA
  • Исполнение корпуса
    EFCP2718-6CE-020
  • Base Product Number
    EFC6601
Техническая документация
 EFC6601R-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 5081 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    209 ₽
  • 10
    121 ₽
  • 500
    75 ₽
  • 2500
    62 ₽
  • 10000
    55 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC6601R-TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCPВсе характеристики

Минимальная цена EFC6601R-TR при покупке от 1 шт 209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC6601R-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EFC6601R-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFBGA, FCBGA
  • Исполнение корпуса
    EFCP2718-6CE-020
  • Base Product Number
    EFC6601
Техническая документация
 EFC6601R-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP2060UFDB-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
    228Кешбэк 34 балла
    AON3611Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
    161Кешбэк 24 балла
    NTLTD7900ZR2GТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    67Кешбэк 10 баллов
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    329Кешбэк 49 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    745Кешбэк 111 баллов
    2N7002DWH6327XTSA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
    58Кешбэк 8 баллов
    FDC6320CТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    65Кешбэк 9 баллов
    DMN53D0LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    56Кешбэк 8 баллов
    SIA519EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
    127Кешбэк 19 баллов
    SQJ960EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 8A
    542Кешбэк 81 балл
    IRF7309TRPBFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
    236Кешбэк 35 баллов
    BSS84AKS,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
    60Кешбэк 9 баллов
    EMH2314-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8
    65Кешбэк 9 баллов
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    219Кешбэк 32 балла
    FDME1034CZTТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
    198Кешбэк 29 баллов
    SI4943BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
    525Кешбэк 78 баллов
    IPG20N06S2L50AATMA1Транзистор
    327Кешбэк 49 баллов
    NTMD6P02R2GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
    293Кешбэк 43 балла
    ZXMN3A04DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    476Кешбэк 71 балл
    IRF7104TRPBFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
    226Кешбэк 33 балла
    FDS4935BZТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
    273Кешбэк 40 баллов
    FDPC8011SТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN
    848Кешбэк 127 баллов
    ZXMN6A11DN8TAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    ALD1116PALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
    1 317Кешбэк 197 баллов
    2N7002V-TPТранзистор
    80Кешбэк 12 баллов
    2N7002DWQ-7-FТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    63Кешбэк 9 баллов
    NTZD3154NT5GТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
    73Кешбэк 10 баллов
    FDC6304PТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    65Кешбэк 9 баллов
    FDS9933AТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
    291Кешбэк 43 балла
    DMG1016V-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
    101Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП