Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
EFC6602R-TR
  • В избранное
  • В сравнение
EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

EFC6602R-TR
;
EFC6602R-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC6602R-TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCPВсе характеристики

Минимальная цена EFC6602R-TR при покупке от 1 шт 200.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC6602R-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EFC6602R-TR

EFC6602R-TR onsemi MOSFET 2N-CH EFCP

  • Основные параметры:
    • Мощность: 65 Вт
    • Рабочий ток: 15 А
    • Предел напряжения: 60 В
    • Тип: N-канальный
    • Структура: планарная
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в открытом состоянии
    • Низкий ток шунтирования
    • Устойчивость к дребезгу
    • Низкий уровень шумов
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать тепловые потери при высоких нагрузках
    • Некоторые модели могут иметь ограничения по частоте работы
    • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в силовых конвертерах
    • Встроенные в источники питания
    • Инверторах для приводов двигателей
    • Системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных приборах
    • Инверторах для домашнего использования
    • Медицинских аппаратах
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики EFC6602R-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFBGA, FCBGA
  • Исполнение корпуса
    EFCP2718-6CE-020
  • Base Product Number
    EFC6602

Техническая документация

 EFC6602R-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 3014 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    200 ₽
  • 10
    124 ₽
  • 500
    62 ₽
  • 2500
    51 ₽
  • 10000
    42 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC6602R-TR
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH EFCPВсе характеристики

Минимальная цена EFC6602R-TR при покупке от 1 шт 200.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC6602R-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EFC6602R-TR

EFC6602R-TR onsemi MOSFET 2N-CH EFCP

  • Основные параметры:
    • Мощность: 65 Вт
    • Рабочий ток: 15 А
    • Предел напряжения: 60 В
    • Тип: N-канальный
    • Структура: планарная
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в открытом состоянии
    • Низкий ток шунтирования
    • Устойчивость к дребезгу
    • Низкий уровень шумов
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать тепловые потери при высоких нагрузках
    • Некоторые модели могут иметь ограничения по частоте работы
    • Требуется правильное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах регулирования напряжения
    • Применение в силовых конвертерах
    • Встроенные в источники питания
    • Инверторах для приводов двигателей
    • Системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Электронных приборах
    • Инверторах для домашнего использования
    • Медицинских аппаратах
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики EFC6602R-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 4.5V
  • Рассеивание мощности
    2W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-XFBGA, FCBGA
  • Исполнение корпуса
    EFCP2718-6CE-020
  • Base Product Number
    EFC6602

Техническая документация

 EFC6602R-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TT8J21TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A TSST8
    250Кешбэк 37 баллов
    FDC6401NТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
    150Кешбэк 22 балла
    SI7997DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    543Кешбэк 81 балл
    FDMB3800NТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
    282Кешбэк 42 балла
    DMN3016LDN-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
    156Кешбэк 23 балла
    HP8KA1TBТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    326Кешбэк 48 баллов
    2N7002VAТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
    139Кешбэк 20 баллов
    SI4943CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    ECH8654-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A 8ECH
    246Кешбэк 36 баллов
    FDML7610SТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8MLP
    313Кешбэк 46 баллов
    BUK7K35-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A LFPAK56D
    206Кешбэк 30 баллов
    ALD1116SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 021Кешбэк 153 балла
    AO6800Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    FW344A-TL-2WТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    67Кешбэк 10 баллов
    BUK9M28-80EXMOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
    174Кешбэк 26 баллов
    CSD87333Q3DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
    250Кешбэк 37 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    146Кешбэк 21 балл
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    176Кешбэк 26 баллов
    TC8220K6-GТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN
    478Кешбэк 71 балл
    QH8MA2TCRТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
    176Кешбэк 26 баллов
    DMC4050SSD-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
    186Кешбэк 27 баллов
    FDG6304PТранзистор: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6
    170Кешбэк 25 баллов
    DMP4050SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SSM6P49NU,LFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
    122Кешбэк 18 баллов
    BUK9M19-60EXMOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
    226Кешбэк 33 балла
    VEC2415-TL-WТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
    83Кешбэк 12 баллов
    DMG6602SVTQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
    85Кешбэк 12 баллов
    NDS9952AТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    162Кешбэк 24 балла
    EFC8811R-TFТранзистор: MOSFET 2N-CH 6CSP
    199Кешбэк 29 баллов
    NDC7001CТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
    98Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП