Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
EFC8811R-TF
EFC8811R-TF

EFC8811R-TF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC8811R-TF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 6CSPВсе характеристики

Минимальная цена EFC8811R-TF при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC8811R-TF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EFC8811R-TF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    6-CSP (1.77x3.54)
  • Base Product Number
    EFC8811
Техническая документация
 EFC8811R-TF.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1903 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    275 ₽
  • 10
    178 ₽
  • 500
    95 ₽
  • 2500
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EFC8811R-TF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 6CSPВсе характеристики

Минимальная цена EFC8811R-TF при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EFC8811R-TF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EFC8811R-TF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    6-CSP (1.77x3.54)
  • Base Product Number
    EFC8811
Техническая документация
 EFC8811R-TF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMC2990UDJ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT963
    110Кешбэк 16 баллов
    AAT7347IAS-T1
    14.8Кешбэк 2 балла
    ZXMC6A09DN8TAТранзистор: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
    365Кешбэк 54 балла
    DMN2400UV-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563
    90Кешбэк 13 баллов
    DMN61D8LVT-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
    127Кешбэк 19 баллов
    DMP2200UDW-7Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363
    67Кешбэк 10 баллов
    DMG6602SVTQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
    95Кешбэк 14 баллов
    IPG20N04S4L07ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    398Кешбэк 59 баллов
    NTZD3154NT2GТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
    69Кешбэк 10 баллов
    NTHD3102CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
    297Кешбэк 44 балла
    QS8J1TRТранзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
    318Кешбэк 47 баллов
    NTMD3P03R2GТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
    103Кешбэк 15 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    745Кешбэк 111 баллов
    FDMD8530Транзистор
    174Кешбэк 26 баллов
    NVJD5121NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
    46Кешбэк 6 баллов
    SSM6N58NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    82Кешбэк 12 баллов
    SI7234DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
    736Кешбэк 110 баллов
    UPA610TA-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    DMN2011UFX-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
    110Кешбэк 16 баллов
    EMH2408-TL-HТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8
    47Кешбэк 7 баллов
    SI9926CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    344Кешбэк 51 балл
    DMG1016UDW-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
    79Кешбэк 11 баллов
    DMN3015LSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
    136Кешбэк 20 баллов
    STS4DNF60LТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
    525Кешбэк 78 баллов
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    219Кешбэк 32 балла
    FDMC8030Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33
    406Кешбэк 60 баллов
    DMC31D5UDJ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V SOT963
    140Кешбэк 21 балл
    SI5504BDC-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
    286Кешбэк 42 балла
    HUFA76504DK8TТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    118Кешбэк 17 баллов
    NTJD5121NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
    50Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП