EM6K7T2CR

EM6K7T2CR ROHM Semiconductor Транзистор: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL.

• Основные параметры:
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Напряжение включения (V_GS(th)): ≤ 1.2 В
  • Максимальное напряжение (V_DS): 45 В
  • Максимальная токовая нагрузка (I_D): 10 А
  • Максимальный тепловой ток (I_D(on)): 2 A
  • Сопротивление при включенном состоянии (R_DS(on)): ≤ 30 мО
• Плюсы:
  • Низкое напряжение включения обеспечивает эффективное управление при низких входных сигналах.
  • Малый размер и тонкая плата обеспечивают высокую плотность компоновки.
  • Высокая скорость переключения благодаря низкому сопротивлению включенного состояния.
  • Комплектация с полным набором защитных функций.
• Минусы:
  • Высокие требования к проектированию систем управления для предотвращения перегрева.
  • Могут быть чувствительны к шумам питания и сигналам.
• Общее назначение:
  • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
  • Управление высокими токами в системах питания.
  • Переключение высоковольтных цепей.
  • Увеличение эффективности и производительности в различных приборах.
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильных системах управления двигателем.
  • Инверторах и преобразователях.
  • Электронных устройствах для домашнего использования.
  • Системах питания для серверных шкафов.
  • Приборах для промышленной автоматизации.