Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
EMB10T2R

EMB10T2R

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена EMB10T2R при покупке от 1 шт 97.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMB10T2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EMB10T2R

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • Base Product Number
    EMB10
Техническая документация
EMB10T2R.pdf
pdf. 0 kb
  • 8000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    97 ₽
  • 100
    38 ₽
  • 1000
    25.4 ₽
  • 8000
    19 ₽
  • 24000
    16.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена EMB10T2R при покупке от 1 шт 97.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMB10T2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EMB10T2R

  • Тип транзистора
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • Base Product Number
    EMB10
Техническая документация
EMB10T2R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории