Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
EMD3T2R

EMD3T2R

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    EMD3T2R
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6Все характеристики

Минимальная цена EMD3T2R при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMD3T2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EMD3T2R

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • Base Product Number
    EMD3T2
Техническая документация
EMD3T2R.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    EMD3T2R
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6Все характеристики

Минимальная цена EMD3T2R при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMD3T2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EMD3T2R

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • Base Product Number
    EMD3T2
Техническая документация
EMD3T2R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории