EMT2DXV6T5

EMT2DXV6T5 onsemi Транзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

• Основные параметры:
  • Тип: малосигнальный биполярный транзистор
  • Максимальное напряжение базы-эмиттера (V_BE(on)): 0,2 В
  • Максимальная частота (f_T): 1 ГГц
  • Максимальный ток эмиттера (I_E(max)): 60 мА
  • Максимальный ток базы (I_B(max)): 6 мА
  • Максимальное напряжение эмиттера-коллектора (V_CE(max)): 20 В
• Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение напряжения перехода V_BE
  • Устойчивость к шуму
  • Компактность
• Минусы:
  • Высокие требования к термостабилизации
  • Невысокая токовая способность по сравнению с мощными транзисторами
• Общее назначение:
  • Усилители сигнала
  • Фильтры
  • Широкополосные антенны
  • Цифровые логические элементы
• В каких устройствах применяется:
  • Радиоприемники
  • Мобильные телефоны
  • Цифровые часы
  • Информационные приборы
  • Автомобильные системы