Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
ESH3DHE3_A/H

ESH3DHE3_A/H

ESH3DHE3_A/H
;
ESH3DHE3_A/H

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена ESH3DHE3_A/H при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ESH3DHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ESH3DHE3_A/H

ESH3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)): 200В
    • Номинальный ток прямого тока (IAV): 3А
    • Форма пакетика: DO214AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Минусы:
    • Невысокая максимальная частота работы
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений
    • Передача энергии между различными цепями
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления электропитанием
    • Электронных приборах
    • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики ESH3DHE3_A/H

Техническая документация

ESH3DHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb
  • 1124 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    159 ₽
  • 100
    88 ₽
  • 850
    61 ₽
  • 9350
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена ESH3DHE3_A/H при покупке от 1 шт 159.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ESH3DHE3_A/H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ESH3DHE3_A/H

ESH3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)): 200В
    • Номинальный ток прямого тока (IAV): 3А
    • Форма пакетика: DO214AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокий КПД
    • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Минусы:
    • Невысокая максимальная частота работы
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений
    • Передача энергии между различными цепями
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления электропитанием
    • Электронных приборах
    • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики ESH3DHE3_A/H

Техническая документация

ESH3DHE3_A/H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории