Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1
;
F3L75R12W1H3B27BOMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    F3L75R12W1H3B27BOMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 275WВсе характеристики

Минимальная цена F3L75R12W1H3B27BOMA1 при покупке от 1 шт 5599.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить F3L75R12W1H3B27BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1 — это модель IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies. Этот транзистор предназначен для использования в различных электротехнических устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 1200 В
    • Номинальный ток (ID): 45 А
    • Мощность (Ptot): 275 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Контроль напряжения и тока с высокой точностью
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение
    • Сложнее в установке и подключении по сравнению с менее сложными компонентами
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных преобразователях напряжения и частоты
    • В системах управления двигателями
    • В источниках питания
    • В солнечных батареях и системах хранения энергии

Транзистор F3L75R12W1H3B27BOMA1 применяется в устройствах, требующих высокого уровня надежности и эффективности при работе с высокими напряжениями и токами.

Выбрано: Показать

Характеристики F3L75R12W1H3B27BOMA1

Техническая документация

F3L75R12W1H3B27BOMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 599 ₽
  • 24
    3 735 ₽
  • 120
    3 540 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    F3L75R12W1H3B27BOMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 275WВсе характеристики

Минимальная цена F3L75R12W1H3B27BOMA1 при покупке от 1 шт 5599.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить F3L75R12W1H3B27BOMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1 — это модель IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies. Этот транзистор предназначен для использования в различных электротехнических устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 1200 В
    • Номинальный ток (ID): 45 А
    • Мощность (Ptot): 275 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к перегреву
    • Контроль напряжения и тока с высокой точностью
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение
    • Сложнее в установке и подключении по сравнению с менее сложными компонентами
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных преобразователях напряжения и частоты
    • В системах управления двигателями
    • В источниках питания
    • В солнечных батареях и системах хранения энергии

Транзистор F3L75R12W1H3B27BOMA1 применяется в устройствах, требующих высокого уровня надежности и эффективности при работе с высокими напряжениями и токами.

Выбрано: Показать

Характеристики F3L75R12W1H3B27BOMA1

Техническая документация

F3L75R12W1H3B27BOMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории