Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FCA20N60F
  • В избранное
  • В сравнение
FCA20N60F

FCA20N60F

FCA20N60F
;
FCA20N60F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FCA20N60F
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PNВсе характеристики

Минимальная цена FCA20N60F при покупке от 1 шт 1301.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FCA20N60F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FCA20N60F

FCA20N60F onsemi MOSFET N-CH 600В 20А TO3PN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO3PN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малое сопротивление при прохождении тока
    • Уменьшение тепловыделения благодаря хорошей теплопроводности корпуса
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможность возникновения электрического шума при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили
    • Системы подзарядки
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики FCA20N60F

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3080 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    208W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3PN
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    FCA20N60

Техническая документация

 FCA20N60F.pdf
pdf. 0 kb
  • 480 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 301 ₽
  • 30
    705 ₽
  • 120
    671 ₽
  • 510
    636 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FCA20N60F
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 20A TO3PNВсе характеристики

Минимальная цена FCA20N60F при покупке от 1 шт 1301.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FCA20N60F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FCA20N60F

FCA20N60F onsemi MOSFET N-CH 600В 20А TO3PN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 20А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO3PN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малое сопротивление при прохождении тока
    • Уменьшение тепловыделения благодаря хорошей теплопроводности корпуса
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Возможность возникновения электрического шума при работе с высокими частотами
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Драйверы двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобили
    • Системы подзарядки
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики FCA20N60F

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    98 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3080 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    208W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3PN
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    FCA20N60

Техническая документация

 FCA20N60F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDD6770A24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL ,
    209Кешбэк 31 балл
    HUFA76629D3SMOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
    108Кешбэк 16 баллов
    FDU6N50TUMOSFET N-CH 500V 6A I-PAK
    103Кешбэк 15 баллов
    FDS3612MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    151Кешбэк 22 балла
    HUF76419D3STMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    67Кешбэк 10 баллов
    HUF75329D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    261Кешбэк 39 баллов
    FQI5N20TUMOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
    77Кешбэк 11 баллов
    HUF75829D3MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
    146Кешбэк 21 балл
    FQU5N60CTUMOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
    118Кешбэк 17 баллов
    FQI7N10LTUMOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
    71Кешбэк 10 баллов
    FQI3N25TUMOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
    93Кешбэк 13 баллов
    FDU6030BLMOSFET N-CH 30V 10A/42A IPAK
    146Кешбэк 21 балл
    FCPF260N65FL1MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
    338Кешбэк 50 баллов
    FQPF5N50CFTUMOSFET N-CH 500V 5A TO220F
    190Кешбэк 28 баллов
    HUF75545S3MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
    252Кешбэк 37 баллов
    FQU4N25TUMOSFET N-CH 250V 3A IPAK
    112Кешбэк 16 баллов
    HUF75842S3STMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    336Кешбэк 50 баллов
    HUFA76609D3STMOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
    118Кешбэк 17 баллов
    FQI47P06TUMOSFET P-CH 60V 47A I2PAK
    325Кешбэк 48 баллов
    FQD4N50TMMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK
    82Кешбэк 12 баллов
    FQP2N50MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
    119Кешбэк 17 баллов
    HUF75339G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    308Кешбэк 46 баллов
    FQI5P10TUMOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
    91Кешбэк 13 баллов
    IRLI610ATUMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
    43Кешбэк 6 баллов
    FDMS2506SDCMOSFET N-CH 25V 39A/49A DLCOOL56
    325Кешбэк 48 баллов
    FQAF17P10MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
    269Кешбэк 40 баллов
    FQP17N08LMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    105Кешбэк 15 баллов
    FQP4N25MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
    80Кешбэк 12 баллов
    FQI2N90TUMOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
    151Кешбэк 22 балла
    SFM9014TFMOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223-4
    146Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП