FCD4N60TM

FCD4N60TM ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с неблокирующим каналом N-типа, работающий при напряжении до 600 В и максимальном токе 3.9 А. Он представлен в корпусе DPAK (Dual Pad Axial Package).

• Основные параметры:
• Напряжение ввода: 600 В
• Максимальный ток: 3.9 А
• Тип канала: N-тип
• Корпус: DPAK

• Плюсы:
• Высокое напряжение ввода (600 В)
• Высокая надежность
• Доступная цена
• Малые размеры корпуса

• Минусы:
• Могут быть ограничения по току при высоких температурах
• Необходимо учитывать тепловую нагрузку

Общее назначение: FCD4N60TM ON SEMICONDUCTOR MOSFET используется для различных приложений, требующих управления токами и напряжениями, таких как:

• Переключатель питания
• Инверторы
• Системы управления двигателем
• Приводы
• Регуляторы напряжения

Этот транзистор широко применяется в бытовой технике, автомобильной электронике, промышленных системах и других областях, где требуется надежное управление электрическими цепями.