Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1
;
FD200R12KE3HOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FD200R12KE3HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1050WВсе характеристики

Минимальная цена FD200R12KE3HOSA1 при покупке от 1 шт 18445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD200R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Мощность: 1050ВА
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство использования в различных приложениях
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических системах
    • Переключение высоковольтных токов
    • Регулировка мощности в промышленных установках
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Мощные источники питания
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FD200R12KE3HOSA1

Техническая документация

FD200R12KE3HOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 17 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18 445 ₽
  • 10
    15 236 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FD200R12KE3HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1050WВсе характеристики

Минимальная цена FD200R12KE3HOSA1 при покупке от 1 шт 18445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD200R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Мощность: 1050ВА
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство использования в различных приложениях
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических системах
    • Переключение высоковольтных токов
    • Регулировка мощности в промышленных установках
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Энергосберегающие системы освещения
    • Мощные источники питания
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FD200R12KE3HOSA1

Техническая документация

FD200R12KE3HOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории