Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FD800R45KL3KB5NPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FD800R45KL3KB5NPSA1

FD800R45KL3KB5NPSA1

FD800R45KL3KB5NPSA1
;
FD800R45KL3KB5NPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FD800R45KL3KB5NPSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 4500V 800A 9000WВсе характеристики

Минимальная цена FD800R45KL3KB5NPSA1 при покупке от 1 шт 367763.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD800R45KL3KB5NPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FD800R45KL3KB5NPSA1

FD800R45KL3KB5NPSA1 — транзистор Infineon Technologies, модель IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Уровень напряжения: 4500 В
  • Полюсный ток: 800 А
  • Мощность: 9000 ВА

Основные параметры:

  • Уровень напряжения (UDSS): 4500 В
  • Полюсный ток (ID): 800 А
  • Мощность (Ptot): 9000 ВА
  • Частота работы: до 10 кГц
  • Температура работы: от -40°C до +150°C

Плюсы:

  • Высокая надежность: долгий срок службы благодаря качественной технологии производства.
  • Эффективность: низкий коэффициент потерь при работе.
  • Устойчивость к перегреву: высокая термическая прочность.
  • Малый размер: компактное устройство для установки в ограниченном пространстве.

Минусы:

  • Цена: относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требования к проектированию: сложнее в интеграции с другими компонентами из-за специфических требований к охлаждению и управлению.

Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями с высоким уровнем напряжения и тока. Подходит для промышленных приложений, где требуется высокая мощность и надежность.

Применяется в:

  • Драйверах двигателей
  • Инверторах
  • Системах управления электропитанием
  • Промышленных преобразователях
  • Автомобильных системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FD800R45KL3KB5NPSA1

  • Конфигурация
    Single Chopper
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    4500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    800 A
  • Рассеивание мощности
    9000 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.85V @ 15V, 800A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    185 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FD800R45

Техническая документация

 FD800R45KL3KB5NPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    367 763 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FD800R45KL3KB5NPSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 4500V 800A 9000WВсе характеристики

Минимальная цена FD800R45KL3KB5NPSA1 при покупке от 1 шт 367763.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD800R45KL3KB5NPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FD800R45KL3KB5NPSA1

FD800R45KL3KB5NPSA1 — транзистор Infineon Technologies, модель IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Уровень напряжения: 4500 В
  • Полюсный ток: 800 А
  • Мощность: 9000 ВА

Основные параметры:

  • Уровень напряжения (UDSS): 4500 В
  • Полюсный ток (ID): 800 А
  • Мощность (Ptot): 9000 ВА
  • Частота работы: до 10 кГц
  • Температура работы: от -40°C до +150°C

Плюсы:

  • Высокая надежность: долгий срок службы благодаря качественной технологии производства.
  • Эффективность: низкий коэффициент потерь при работе.
  • Устойчивость к перегреву: высокая термическая прочность.
  • Малый размер: компактное устройство для установки в ограниченном пространстве.

Минусы:

  • Цена: относительно высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требования к проектированию: сложнее в интеграции с другими компонентами из-за специфических требований к охлаждению и управлению.

Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями с высоким уровнем напряжения и тока. Подходит для промышленных приложений, где требуется высокая мощность и надежность.

Применяется в:

  • Драйверах двигателей
  • Инверторах
  • Системах управления электропитанием
  • Промышленных преобразователях
  • Автомобильных системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FD800R45KL3KB5NPSA1

  • Конфигурация
    Single Chopper
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    4500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    800 A
  • Рассеивание мощности
    9000 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.85V @ 15V, 800A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    185 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FD800R45

Техническая документация

 FD800R45KL3KB5NPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS200R07PE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 200A 600W
    24 492Кешбэк 3 673 балла
    FS50R06KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
    10 794Кешбэк 1 619 баллов
    F3L300R12PT4B26COSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 460A 1650W
    26 962Кешбэк 4 044 балла
    F3L75R12W1H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 275W
    6 771Кешбэк 1 015 баллов
    F3L400R12PT4B26BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 2150W
    28 211Кешбэк 4 231 балл
    FF300R17ME4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 375A 1800W
    26 841Кешбэк 4 026 баллов
    FF600R12ME4PB72BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    35 180Кешбэк 5 277 баллов
    FF900R12IE4PBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 900A 20MW
    77 477Кешбэк 11 621 балл
    FS150R12KT4B9BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 750W
    26 712Кешбэк 4 006 баллов
    FD1200R17HP4KB2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1200A
    181 070Кешбэк 27 160 баллов
    FS150R17PE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 150A 835W
    30 235Кешбэк 4 535 баллов
    FS500R17OE4DBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 740A 3000W
    119 069Кешбэк 17 860 баллов
    FS75R12KS4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 500W
    75 316Кешбэк 11 297 баллов
    FS820R08A6P2LBBPSA1Транзистор: IGBT MODULE 820A HYBRID PK DRIVE
    60 099Кешбэк 9 014 баллов
    FF900R12ME7WB11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    38 619Кешбэк 5 792 балла
    FS150R12N2T7B54BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    17 102Кешбэк 2 565 баллов
    FD450R12KE4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 450A AG62MM-1
    26 280Кешбэк 3 942 балла
    FS150R12KT4PB11BPSA1Транзистор: MOD IGBT LOW PWR ECONO3-4
    21 691Кешбэк 3 253 балла
    FS820R08A6P2BBPSA1Транзистор: IGBT MODULE PACK DRV HYBRIDD-1
    59 187Кешбэк 8 878 баллов
    FF200R17KE3S4HOSA1Транзистор: IGBT MODULE VCES 1200V 200A
    26 451Кешбэк 3 967 баллов
    FP10R12W1T4B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 105W
    6 351Кешбэк 952 балла
    FP100R12W3T7B11BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY
    17 491Кешбэк 2 623 балла
    FS100R12KT3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 140A 480W
    20 437Кешбэк 3 065 баллов
    FS100R17N3E4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 100A 600W
    21 119Кешбэк 3 167 баллов
    FS400R07A3E3H6BPSA1Транзистор: IGBT MODULE 650V 400A
    95 751Кешбэк 14 362 балла
    FZ400R12KP4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 400A 2400W
    15 353Кешбэк 2 302 балла
    FS770R08A6P2BBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE
    58 868Кешбэк 8 830 баллов
    FP35R12KT4B15BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-211
    13 373Кешбэк 2 005 баллов
    F3L200R07PE4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 200A 680W
    22 873Кешбэк 3 430 баллов
    FF450R17ME4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 600A 2500W
    31 464Кешбэк 4 719 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП