Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDB3632
FDB3632

FDB3632

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDB3632
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB3632 при покупке от 1 шт 753.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB3632 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDB3632

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta), 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    FDB363
Техническая документация
 FDB3632.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 6424 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    753 ₽
  • 10
    495 ₽
  • 100
    348 ₽
  • 800
    272 ₽
  • 1600
    258 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDB3632
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB3632 при покупке от 1 шт 753.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB3632 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDB3632

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta), 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    FDB363
Техническая документация
 FDB3632.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUF76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    133Кешбэк 19 баллов
    NDT014LMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
    284Кешбэк 42 балла
    IRFI620GPBFMOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3
    361Кешбэк 54 балла
    SI7106DN-T1-E3MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
    512Кешбэк 76 баллов
    STU8N80K5MOSFET N-CH 800V 6A TO251
    459Кешбэк 68 баллов
    FDB3652MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
    601Кешбэк 90 баллов
    SIHP21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
    917Кешбэк 137 баллов
    IXTA180N10TMOSFET N-CH 100V 180A TO263
    1 221Кешбэк 183 балла
    APT56F50B2MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
    2 207Кешбэк 331 балл
    IPD068P03L3GATMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
    255Кешбэк 38 баллов
    NTD4815NH-1GMOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
    27.3Кешбэк 4 балла
    IXTY10P15TMOSFET P-CH 150V 10A TO252
    835Кешбэк 125 баллов
    PMN28UN,135MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
    84Кешбэк 12 баллов
    NTD95N02RT4MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK
    58Кешбэк 8 баллов
    FDP79N15MOSFET N-CH 150V 79A TO220-3
    740Кешбэк 111 баллов
    STP5NK100ZMOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
    445Кешбэк 66 баллов
    SCH1333-TL-HMOSFET P-CH 20V 2A 6SCH
    27.3Кешбэк 4 балла
    FCMT299N60MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
    878Кешбэк 131 балл
    STB36NF06LT4MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
    395Кешбэк 59 баллов
    IXFP230N075T2MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
    1 356Кешбэк 203 балла
    FQU2N60CTUMOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
    84Кешбэк 12 баллов
    IPA50R350CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP
    292Кешбэк 43 балла
    RAL025P01TCRMOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
    100Кешбэк 15 баллов
    STI24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
    548Кешбэк 82 балла
    IXFH20N85XMOSFET N-CH 850V 20A TO247
    1 950Кешбэк 292 балла
    NTB75N03RT4MOSFET N-CH 25V 9.7A/75A D2PAK
    101Кешбэк 15 баллов
    IRFL014NTRPBFMOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    142Кешбэк 21 балл
    FDMT800150DCMOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
    1 144Кешбэк 171 балл
    SI4838BDY-T1-GE3MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
    335Кешбэк 50 баллов
    PMZB200UNEYLMOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
    82Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП