Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

FDB8870-F085

FDB8870-F085

FDB8870-F085

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
FDB8870-F085
Описание:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB8870-F085 при покупке от 783 шт 162.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB8870-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики FDB8870-F085

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5200 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
D²PAK (TO-263)
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FDB887

В избранное
В сравнение

783 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 783 шт

Количество
Цена
783
162 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
onsemi
Артикул:
FDB8870-F085
Описание:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB8870-F085 при покупке от 783 шт 162.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB8870-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики FDB8870-F085

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
23A (Ta), 160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5200 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
160W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
D²PAK (TO-263)
Корпус
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
FDB887

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IPU60R3K4CEAKMA1 CONSUMER

35Кешбэк 5 баллов

SIDR392DP-T1-RE3 N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

509Кешбэк 76 баллов

IXFH70N65X3 MOSFET 70A 650V X3 TO247

2 635Кешбэк 395 баллов

SCT3080KW7TL SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

3 313Кешбэк 496 баллов

DMT6002LPS-13 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

471Кешбэк 70 баллов

NTLJS17D0P03P8ZTAG MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN

170Кешбэк 25 баллов

ISC017N04NM5ATMA1 MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8

314Кешбэк 47 баллов

2N7002A Транзистор: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3

22Кешбэк 3 балла

TPH2R506PL,L1Q MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

372Кешбэк 55 баллов

IMW120R040M1HXKSA1 SIC DISCRETE

2 177Кешбэк 326 баллов

IRFP245 N-CHANNEL POWER MOSFET

319Кешбэк 47 баллов

IRFRC20PBF-BE3 N-CHANNEL 600V

442Кешбэк 66 баллов

DMP3099LQ-13 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R

60Кешбэк 9 баллов

NTHL025N065SC1 SIC MOS TO247-3L 650V

2 585Кешбэк 387 баллов

SIHP180N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

790Кешбэк 118 баллов

TSM2314CX RFG MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23

158Кешбэк 23 балла

STWA40N95DK5 MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247

2 848Кешбэк 427 баллов

UF3C120150B7S 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE

2 095Кешбэк 314 баллов

TK1R5R04PB,LXGQ MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

513Кешбэк 76 баллов

DMN90H8D5HCT MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

175Кешбэк 26 баллов

DMP2120U-7 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23

54Кешбэк 8 баллов

IPB320N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK

681Кешбэк 102 балла

CSD17570Q5BT MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

586Кешбэк 87 баллов

2SJ687-ZK-E2-AY SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

307Кешбэк 46 баллов

IPA60R160P7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 20A TO220

597Кешбэк 89 баллов

SIHF065N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 40A TO220

1 288Кешбэк 193 балла

TSM250N02CX RFG MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23

89Кешбэк 13 баллов

FW905-TL-E P-CHANNEL SILICON MOSFET

115Кешбэк 17 баллов

TK6R9P08QM,RQ UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM

285Кешбэк 42 балла

TJ80S04M3L,LXHQ MOSFET P-CH 40V 80A DPAK

358Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Принадлежности

Диодные мосты

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - Специального назначения

Диоды выпрямительные - Сборки

Симисторы

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Тиристоры - SCR

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Диодные мосты - Модули

Тиристоры - TRIACs

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Программируемые однопереходные транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды силовые

IGBT транзисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Модули

Симисторы - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - JFET

Высокочастотные полевые транзисторы

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Драйверы питания - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Модули драйверов питания

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Высокочастотные диоды

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - Модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Минимально и кратно 783 шт

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали