Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDC638P

FDC638P

FDC638P
;
FDC638P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDC638P при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC638P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC638P

FDC638P ON SEMICONDUCTOR SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Тип: полевого транзистора с небольшими сигналами
    • Материал: Si (silikon)
    • Структура: N-channel (канал N)
    • Рабочее напряжение: до 20 В
    • Потребляемая мощность: до 150 мВ
    • Скорость переключения: до 4 ГГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к шумам
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Чувствительность к электрическим помехам
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
    • Ограниченная мощность
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронной аппаратуре
    • Работа в цифровых системах
    • Антенны и приемники
    • Передатчики и приемопередатчики
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDC638P

Техническая документация

FDC638P.pdf
pdf. 0 kb
  • 269 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    113 ₽
  • 100
    64 ₽
  • 500
    55 ₽
  • 3000
    46.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDC638P при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC638P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC638P

FDC638P ON SEMICONDUCTOR SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Тип: полевого транзистора с небольшими сигналами
    • Материал: Si (silikon)
    • Структура: N-channel (канал N)
    • Рабочее напряжение: до 20 В
    • Потребляемая мощность: до 150 мВ
    • Скорость переключения: до 4 ГГц
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к шумам
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Чувствительность к электрическим помехам
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
    • Ограниченная мощность
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронной аппаратуре
    • Работа в цифровых системах
    • Антенны и приемники
    • Передатчики и приемопередатчики
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDC638P

Техническая документация

FDC638P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории