Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDD306P

FDD306P

FDD306P
;
FDD306P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDD306P при покупке от 1 шт 251.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD306P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD306P

FDD306P ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 12В
    • Размер тока (ID(on)): 6.7А
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при включенном состоянии
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного компенсационного сопротивления
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Управление электродвигателями
    • Применение в системах управления мощностью
    • Изоляция логических сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание бытовой техники
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDD306P

Техническая документация

FDD306P.pdf
pdf. 0 kb
  • 351 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    251 ₽
  • 10
    188 ₽
  • 50
    134 ₽
  • 100
    117 ₽
  • 500
    106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDD306P при покупке от 1 шт 251.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD306P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD306P

FDD306P ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение (VGS(th)): 12В
    • Размер тока (ID(on)): 6.7А
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при включенном состоянии
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного компенсационного сопротивления
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Управление электродвигателями
    • Применение в системах управления мощностью
    • Изоляция логических сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание бытовой техники
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDD306P

Техническая документация

FDD306P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории