FDD5N50FTM

FDD5N50FTM Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET — это мощный полупроводниковый транзистор, используемый для управления током в электронных устройствах. Он относится к типу N-канального MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) и предназначен для применения в различных приложениях, где требуется высокая мощность.

• Основные параметры:
• Vds(max) — максимальное напряжение между дреном и собранием: 50 В
• ID(on) — ток дрене-собрание при Vgs = 10 В: 46 А
• Rds(on) — сопротивление дрене-собрание при Vgs = 10 В: 23 мО
• Ciss — емкость между собранием и дреном: 780 нФ
• Плюсы:
• Высокая скорость переключения благодаря низкому сопротивлению Rds(on)
• Высокая надежность и долговечность
• Низкий уровень тепловыделения
• Простота использования и управления
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при длительной нагрузке
• Могут возникать проблемы при работе с высокими частотами из-за емкости Ciss
• Общее назначение:
• Управление током в мощных электронных устройствах
• Использование в источниках питания
• Работа в системах управления двигателей
• Применение в телекоммуникационных сетях и других системах с высокими требованиями к мощности
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Мощные преобразователи
• Системы управления двигателем
• Беспроводные устройства