Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDD5N50UTM-WS

FDD5N50UTM-WS

FDD5N50UTM-WS
;
FDD5N50UTM-WS

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDD5N50UTM-WS при покупке от 2500 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD5N50UTM-WS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD5N50UTM-WS

Маркировка FDD5N50UTM-WS, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET N-канальный 500В 3А DPAK:

  • Основные параметры:
    • Напряжение приключенного заряда (VGS(th)): 2.5 В
    • Предел напряжения приключенного заряда (VGS(max)): 20 В
    • Размеры корпуса: DPAK
    • Ток приключенного заряда (ID(on)): 3 А
    • Напряжение приключенного заряда (VDS): 500 В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса для DPAK
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требует дополнительного термопрокладки для эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих точного управления током
    • Применение в источниках питания
    • Использование в системах управления двигателем
    • Применение в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания для ноутбуков и компьютеров
    • Преобразователи напряжения для домашней электроники
    • Системы управления двигателем для промышленных приложений
Выбрано: Показать

Характеристики FDD5N50UTM-WS

Техническая документация

FDD5N50UTM-WS.pdf
pdf. 0 kb
  • 2500 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 2500 шт
  • Количество
    Цена
  • 2500
    70 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDD5N50UTM-WS при покупке от 2500 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD5N50UTM-WS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD5N50UTM-WS

Маркировка FDD5N50UTM-WS, производитель ON Semiconductor, описание MOSFET N-канальный 500В 3А DPAK:

  • Основные параметры:
    • Напряжение приключенного заряда (VGS(th)): 2.5 В
    • Предел напряжения приключенного заряда (VGS(max)): 20 В
    • Размеры корпуса: DPAK
    • Ток приключенного заряда (ID(on)): 3 А
    • Напряжение приключенного заряда (VDS): 500 В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса для DPAK
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
    • Эффективное управление током
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требует дополнительного термопрокладки для эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих точного управления током
    • Применение в источниках питания
    • Использование в системах управления двигателем
    • Применение в преобразователях напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания для ноутбуков и компьютеров
    • Преобразователи напряжения для домашней электроники
    • Системы управления двигателем для промышленных приложений
Выбрано: Показать

Характеристики FDD5N50UTM-WS

Техническая документация

FDD5N50UTM-WS.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 2500 шт