FDD6670AL_NL

FDD6670AL_NL Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Номинальный ток на дrain (ID): 66 A
• Номинальное напряжение на drain (VDS): 65 V
• Резистивность Rds(on): 14 mΩ при 25°C
• Температурный коэффициент Rds(on): +3.5 mΩ/°C
• Максимальная рабочая температура: 175°C
• Плюсы:
• Высокая conductive efficiency
• Устойчивость к перегреву
• Простота управления
• Малый размер и легкость интеграции
• Устойчивость к шумам и помехам
• Минусы:
• Необходимо учитывать ток разрядного импульса (Qg)
• Наличие емкости гранта (Coss) может вызвать проблемы с динамической характеристикой
• Общее назначение:
• Для регулирования напряжения в электронных устройствах
• Для управления токами в силовых цепях
• В системах питания и преобразователях
• Для защиты от перегрузок и скачков напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Системы управления двигателей
• Инверторы и преобразователи
• Энергосберегающие устройства
• Устройства с высоким потреблением энергии