Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDH047AN08A0
  • В избранное
  • В сравнение
FDH047AN08A0

FDH047AN08A0

FDH047AN08A0
;
FDH047AN08A0

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDH047AN08A0
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена FDH047AN08A0 при покупке от 1 шт 1369.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDH047AN08A0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDH047AN08A0

FDH047AN08A0 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтингное напряжение: 75В
    • Рейтингный ток: 15А
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток включения
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Уязвим к электрическому удару
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах преобразования напряжений
    • Применение в инверторах
    • Реализация регуляторов напряжения
    • Подключение к источнику питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах преобразования энергии
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленных системах автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики FDH047AN08A0

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    138 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FDH047

Техническая документация

 FDH047AN08A0.pdf
pdf. 0 kb
  • 1016 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 369 ₽
  • 10
    760 ₽
  • 120
    637 ₽
  • 510
    624 ₽
  • 1020
    600 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDH047AN08A0
  • Описание:
    MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена FDH047AN08A0 при покупке от 1 шт 1369.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDH047AN08A0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDH047AN08A0

FDH047AN08A0 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтингное напряжение: 75В
    • Рейтингный ток: 15А
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Малый ток включения
    • Высокая скорость переключения
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Уязвим к электрическому удару
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах преобразования напряжений
    • Применение в инверторах
    • Реализация регуляторов напряжения
    • Подключение к источнику питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах преобразования энергии
    • Электронных устройствах для домашнего использования
    • Промышленных системах автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики FDH047AN08A0

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    75 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    15A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.7mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    138 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FDH047

Техническая документация

 FDH047AN08A0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP21N90K5MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
    1 127Кешбэк 169 баллов
    STW10NK60ZMOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
    864Кешбэк 129 баллов
    STP9NM60NMOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
    707Кешбэк 106 баллов
    STF3NK80ZMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
    481Кешбэк 72 балла
    STL9N60M2MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
    434Кешбэк 65 баллов
    STW70N60DM2MOSFET N-CH 600V 66A TO247
    1 950Кешбэк 292 балла
    STFW4N150MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
    1 136Кешбэк 170 баллов
    STD8N65M5MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
    225Кешбэк 33 балла
    STW40N60M2-4MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3
    1 693Кешбэк 253 балла
    STF40N60M2MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
    1 056Кешбэк 158 баллов
    STW20N95K5MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3
    1 319Кешбэк 197 баллов
    STP240N10F7MOSFET N-CH 100V 180A TO220
    764Кешбэк 114 баллов
    STB8N65M5MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
    272Кешбэк 40 баллов
    STF9HN65M2MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
    279Кешбэк 41 балл
    STD15NF10T4MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    STW34NM60NDMOSFET N-CH 600V 29A TO247
    1 483Кешбэк 222 балла
    STW88N65M5Транзистор: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3
    2 261Кешбэк 339 баллов
    STW77N65M5MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
    2 667Кешбэк 400 баллов
    STP4NK60ZFPТранзистор: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
    404Кешбэк 60 баллов
    STY60NM50MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
    3 913Кешбэк 586 баллов
    STW62NM60NMOSFET N-CH 600V 65A TO247
    2 356Кешбэк 353 балла
    STH145N8F7-2AGMOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
    508Кешбэк 76 баллов
    STF12N65M5MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
    462Кешбэк 69 баллов
    STW26NM50MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
    2 183Кешбэк 327 баллов
    IRF630Транзистор: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
    275Кешбэк 41 балл
    STF40NF20MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
    566Кешбэк 84 балла
    STI20N65M5MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK
    264Кешбэк 39 баллов
    STW21N150K5MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
    2 386Кешбэк 357 баллов
    STP20N65M5MOSFET N-CH 650V 18A TO220
    577Кешбэк 86 баллов
    STL12N65M2MOSFET N-CH 650V 5A POWERFLAT HV
    497Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП