Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
FDMC007N30D
  • В избранное
  • В сравнение
FDMC007N30D

FDMC007N30D

FDMC007N30D
;
FDMC007N30D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMC007N30D
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLPВсе характеристики

Минимальная цена FDMC007N30D при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMC007N30D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMC007N30D

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FDMC007N30D
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: MOSFET
      • Ток: 46A
      • Напряжение: 30В
      • Количество выводов: 8MLP
    • Плюсы:
      • Высокая проводимость при низком напряжении
      • Низкий сопротивление в насыщенном режиме
      • Высокий ток пропускания
      • Стабильная работа в различных условиях
    • Минусы:
      • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
      • Возможны проблемы с термостабильностью без эффективного охлаждения
    • Общее назначение:
      • Использование в источниках питания
      • Регулирование напряжения
      • Управление электрическими нагрузками
      • Сигнальное усиление
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Источники питания
      • Компьютерное оборудование
      • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDMC007N30D

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.6mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.9W, 2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса
    8-Power33 (3x3)
  • Base Product Number
    FDMC007

Техническая документация

 FDMC007N30D.pdf
pdf. 0 kb
  • 5280 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    230 ₽
  • 10
    154 ₽
  • 500
    90 ₽
  • 3000
    72 ₽
  • 9000
    64 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMC007N30D
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLPВсе характеристики

Минимальная цена FDMC007N30D при покупке от 1 шт 230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMC007N30D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMC007N30D

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FDMC007N30D
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: MOSFET
      • Ток: 46A
      • Напряжение: 30В
      • Количество выводов: 8MLP
    • Плюсы:
      • Высокая проводимость при низком напряжении
      • Низкий сопротивление в насыщенном режиме
      • Высокий ток пропускания
      • Стабильная работа в различных условиях
    • Минусы:
      • Требует дополнительных компонентов для защиты от перенапряжений
      • Возможны проблемы с термостабильностью без эффективного охлаждения
    • Общее назначение:
      • Использование в источниках питания
      • Регулирование напряжения
      • Управление электрическими нагрузками
      • Сигнальное усиление
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Источники питания
      • Компьютерное оборудование
      • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDMC007N30D

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.6mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.9W, 2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса
    8-Power33 (3x3)
  • Base Product Number
    FDMC007

Техническая документация

 FDMC007N30D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RF1K49223Транзистор: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
    177Кешбэк 26 баллов
    RF1S17N06LТранзистор: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
    195Кешбэк 29 баллов
    RFP30N6LER454130A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL
    121Кешбэк 18 баллов
    RFP50N06R403450A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
    178Кешбэк 26 баллов
    IRFR1109AТранзистор: PFET, 4.7A I(D), 100V, 0.54OHM,
    97Кешбэк 14 баллов
    RFD8P05SM9AS2463Транзистор: 8A, 50V, 0.300 OHM, P-CHANNEL
    103Кешбэк 15 баллов
    RF1S15N06Транзистор: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
    154Кешбэк 23 балла
    IRFR2209AТранзистор: PFET, 4.6A I(D), 200V, 0.8OHM, 1
    114Кешбэк 17 баллов
    IRF740S2515Транзистор: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
    177Кешбэк 26 баллов
    IRFR420UТранзистор: 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNEL
    110Кешбэк 16 баллов
    IRFR2209AS2463Транзистор: TO 252 PACKAGE STANDARD GATE DEV
    114Кешбэк 17 баллов
    IRF620R45875.0A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
    66Кешбэк 9 баллов
    HUF7554S3SТранзистор: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM
    313Кешбэк 46 баллов
    BUZ60BU400V, N-CHANNEL POWER MOSFET
    2 227Кешбэк 334 балла
    RFF70N06/3Транзистор: 25A, 60V, 0.025 OHMS, N CHANNEL
    10 813Кешбэк 1 621 балл
    MMFT8472DWMOSFET, 50V, 0.115A, N+P, 0.2W
    45Кешбэк 6 баллов
    MMFTN620KDW-AQТранзистор: MOSFET, 60V, 0.35A, N, 0.2W
    60Кешбэк 9 баллов
    MMBT7002DWТранзистор: MOSFET SOT-363 60V 0.115A
    41.4Кешбэк 6 баллов
    BSC072N04LDATMA1Транзистор: TRENCH <= 40V
    318Кешбэк 47 баллов
    BSC150N03LDGATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
    90Кешбэк 13 баллов
    IAUC45N04S6L063HATMA1Транзистор: IAUC45N04S6L063HATMA1
    191Кешбэк 28 баллов
    BSO220N03MDGXUMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
    178Кешбэк 26 баллов
    BSO150N03MDGXUMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
    261Кешбэк 39 баллов
    IPG20N06S4L11ATMA2Транзистор: MOSFET_)40V 60V)
    425Кешбэк 63 балла
    IAUC60N04S6L045HATMA1Транзистор: IAUC60N04S6L045HATMA1
    276Кешбэк 41 балл
    BSC155N06NDATMA1Транзистор: TRENCH 40<-<100V
    281Кешбэк 42 балла
    BSC112N06LDATMA1Транзистор: TRENCH 40<-<100V
    394Кешбэк 59 баллов
    BSC076N04NDATMA1Транзистор: TRENCH <= 40V
    362Кешбэк 54 балла
    BSC0993NDATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 17A TISON8
    285Кешбэк 42 балла
    IAUC60N04S6N031HATMA1Транзистор: IAUC60N04S6N031HATMA1
    281Кешбэк 42 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП