Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

FDMC0310AS-F127-L701

В избранное
В сравнение

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

;

FDMC0310AS-F127-L701

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi
Артикул:
FDMC0310AS-F127-L701
Описание:
PT8 NCH 30V/20V S MLВсе характеристики

Минимальная цена FDMC0310AS-F127-L701 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMC0310AS-F127-L701 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики FDMC0310AS-F127-L701

Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3165 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.4W (Ta), 36W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-WDFN (3.3x3.3)
Корпус
8-PowerWDFN

Техническая документация

FDMC0310AS-F127-L701.pdf

pdf. 0 kb

2569 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
291 ₽
10
184 ₽
100
123 ₽
500
96 ₽
1000
88 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
onsemi
Артикул:
FDMC0310AS-F127-L701
Описание:
PT8 NCH 30V/20V S MLВсе характеристики

Минимальная цена FDMC0310AS-F127-L701 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMC0310AS-F127-L701 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики FDMC0310AS-F127-L701

Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Ta), 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 19A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3165 pF @ 15 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.4W (Ta), 36W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-WDFN (3.3x3.3)
Корпус
8-PowerWDFN

Техническая документация

FDMC0310AS-F127-L701.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

YJL3401A P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L

9.7Кешбэк 1 балл

SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

824Кешбэк 123 балла

AONR66922 MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN

367Кешбэк 55 баллов

BS170-D75Z MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

49Кешбэк 7 баллов

BSZ0589NSATMA1 MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON

196Кешбэк 29 баллов

FDBL86566-F085 MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

467Кешбэк 70 баллов

IRFL210TRPBF-BE3 Транзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

230Кешбэк 34 балла

DMP2110UW-7 MOSFET P-CH 20V 2A SOT323

70Кешбэк 10 баллов

SIDR392DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK

582Кешбэк 87 баллов

SISH112DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

376Кешбэк 56 баллов

2SK1274-T-AZ SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

141Кешбэк 21 балл

SQ1464EEH-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6

91Кешбэк 13 баллов

MTSF3N03HDR2 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

59Кешбэк 8 баллов

IAUA250N04S6N005AUMA1 OPTIMOS POWER MOSFET

580Кешбэк 87 баллов

NTD360N65S3H POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

493Кешбэк 73 балла

SIHJ6N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8

545Кешбэк 81 балл

SQS486CENW-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

185Кешбэк 27 баллов

IPD50P04P413ATMA2 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

300Кешбэк 45 баллов

RQ6E045TNTR MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

130Кешбэк 19 баллов

ISC036N04NM5ATMA1 40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

252Кешбэк 37 баллов

IPB60R280P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

434Кешбэк 65 баллов

SSM6K810R,LF SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10

133Кешбэк 19 баллов

SUD19P06-60-BE3 MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK

319Кешбэк 47 баллов

FDMS3D5N08LC MOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN

661Кешбэк 99 баллов

SISS61DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK

241Кешбэк 36 баллов

IRFPC42 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL

296Кешбэк 44 балла

SSM3J371R,LXHF SMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V

87Кешбэк 13 баллов

SQJ488EP-T1_BE3 MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

427Кешбэк 64 балла

SQJ488EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

426Кешбэк 63 балла

PJS6417_S1_00001 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды - мостовые выпрямители

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - IGBT - модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Симисторы - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Варикапы и Варакторы

Полевые транзисторы - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - JFET

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Тиристоры - SCR - модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диодные мосты - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Диоды выпрямительные - Модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды силовые

Диодные мосты

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные диоды

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Тиристоры - SCR

Принадлежности

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Модули драйверов питания

Транзисторы - Специального назначения

Тиристоры - TRIACs

Симисторы

Диоды - выпрямители - массивы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

IGBT транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - IGBT - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали