Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDMD84100

FDMD84100

FDMD84100
;
FDMD84100

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDMD84100 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMD84100 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMD84100

FDMD84100 onsemi Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 100В
    • Номинальный ток вдоль канала: 7А
    • Пакет: 8-PQFN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету 8-PQFN
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость соблюдения специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в системах преобразования энергии
    • Работа в источниках питания для различных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных преобразователях
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FDMD84100

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса
    Power 3.3x5
  • Base Product Number
    FDMD84

Техническая документация

FDMD84100.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDMD84100 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMD84100 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMD84100

FDMD84100 onsemi Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 100В
    • Номинальный ток вдоль канала: 7А
    • Пакет: 8-PQFN
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету 8-PQFN
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение RDS(on)
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость соблюдения специальных условий охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в системах преобразования энергии
    • Работа в источниках питания для различных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Промышленных преобразователях
    • Системах управления двигателей
    • Источниках питания для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FDMD84100

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    980pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Исполнение корпуса
    Power 3.3x5
  • Base Product Number
    FDMD84

Техническая документация

FDMD84100.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории