Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN5630
  • В избранное
  • В сравнение
FDN5630

FDN5630

FDN5630
;
FDN5630

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDN5630
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN5630 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN5630 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN5630

FDN5630 UMW MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 — это полевое транзисторное устройство, используемое в различных электронных приборах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VDS(on)) — 60В
    • Ток проводимости (ID(on)) — 1.7А
    • Тип — N-канальный
    • Форм-фактор — SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый дрейф тока
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактная конструкция
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с гальваническим связанием без правильного монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в регуляторах напряжения
    • В качестве ключей в различных схемах управления
    • Для создания блоков питания
    • В системах управления электроприводами
  • Применяется в:
    • Блоках питания для компьютеров и ноутбуков
    • Автомобильных системах
    • Электроприборах
    • Устройствах для управления электроприводами
Выбрано: Показать

Характеристики FDN5630

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 1.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN563

Техническая документация

 FDN5630.pdf
pdf. 0 kb
  • 3166 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 50
    50 ₽
  • 500
    31 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDN5630
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN5630 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN5630 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN5630

FDN5630 UMW MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 — это полевое транзисторное устройство, используемое в различных электронных приборах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VDS(on)) — 60В
    • Ток проводимости (ID(on)) — 1.7А
    • Тип — N-канальный
    • Форм-фактор — SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый дрейф тока
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактная конструкция
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с гальваническим связанием без правильного монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в регуляторах напряжения
    • В качестве ключей в различных схемах управления
    • Для создания блоков питания
    • В системах управления электроприводами
  • Применяется в:
    • Блоках питания для компьютеров и ноутбуков
    • Автомобильных системах
    • Электроприборах
    • Устройствах для управления электроприводами
Выбрано: Показать

Характеристики FDN5630

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 1.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN563

Техническая документация

 FDN5630.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS123LMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    36.4Кешбэк 5 баллов
    FQD11P06TMMOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
    294Кешбэк 44 балла
    FDV305NMOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    FQD8P10TMMOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
    216Кешбэк 32 балла
    MGSF2N02ELT1GMOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
    88Кешбэк 13 баллов
    FDD3672MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
    376Кешбэк 56 баллов
    2V7002KT1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
    23.3Кешбэк 3 балла
    FDC637BNZMOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS138WMOSFET N-CH 50V 210MA SC70
    46Кешбэк 6 баллов
    FDS6680AMOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
    165Кешбэк 24 балла
    NTR2101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 8V SOT23-3
    88Кешбэк 13 баллов
    FDD120AN15A0MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
    239Кешбэк 35 баллов
    FDC645NMOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
    158Кешбэк 23 балла
    FQD12N20LTMMOSFET N-CH 200V 9A DPAK
    229Кешбэк 34 балла
    NTMFS6B03NT1GMOSFET N-CH 100V 19A/132A 5DFN
    1 211Кешбэк 181 балл
    FDD86102LZMOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
    391Кешбэк 58 баллов
    NTR5198NLT1GMOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
    74Кешбэк 11 баллов
    FQD17P06TMMOSFET P-CH 60V 12A DPAK
    280Кешбэк 42 балла
    MCH6448-TL-HMOSFET N-CH 20V 8A 6MCPH
    100Кешбэк 15 баллов
    FDMC86139PMOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
    456Кешбэк 68 баллов
    FQD5P20TMMOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
    88Кешбэк 13 баллов
    BSS84LT1GMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    17.6Кешбэк 2 балла
    NTF2955T1GMOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
    206Кешбэк 30 баллов
    FDS9435ASMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    184Кешбэк 27 баллов
    NTMFS6B14NT1GMOSFET N-CH 100V 10A/50A 5DFN
    413Кешбэк 61 балл
    NTR5105PT1GMOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
    37.6Кешбэк 5 баллов
    NTF3055-100T1GMOSFET N-CH 60V 3A SOT223
    215Кешбэк 32 балла
    FCU850N80ZMOSFET N-CH 800V 6A IPAK
    342Кешбэк 51 балл
    NVTFS5116PLTAGMOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
    202Кешбэк 30 баллов
    NDS7002AMOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
    35Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП