Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN5630
  • В избранное
  • В сравнение
FDN5630

FDN5630

FDN5630
;
FDN5630

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDN5630
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN5630 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN5630 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN5630

FDN5630 UMW MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 — это полевое транзисторное устройство, используемое в различных электронных приборах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VDS(on)) — 60В
    • Ток проводимости (ID(on)) — 1.7А
    • Тип — N-канальный
    • Форм-фактор — SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый дрейф тока
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактная конструкция
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с гальваническим связанием без правильного монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в регуляторах напряжения
    • В качестве ключей в различных схемах управления
    • Для создания блоков питания
    • В системах управления электроприводами
  • Применяется в:
    • Блоках питания для компьютеров и ноутбуков
    • Автомобильных системах
    • Электроприборах
    • Устройствах для управления электроприводами
Выбрано: Показать

Характеристики FDN5630

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 1.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN563

Техническая документация

 FDN5630.pdf
pdf. 0 kb
  • 3166 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 50
    50 ₽
  • 500
    31 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDN5630
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN5630 при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN5630 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN5630

FDN5630 UMW MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3 — это полевое транзисторное устройство, используемое в различных электронных приборах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VDS(on)) — 60В
    • Ток проводимости (ID(on)) — 1.7А
    • Тип — N-канальный
    • Форм-фактор — SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый дрейф тока
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактная конструкция
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Возможны проблемы с гальваническим связанием без правильного монтажа
  • Общее назначение:
    • Использование в регуляторах напряжения
    • В качестве ключей в различных схемах управления
    • Для создания блоков питания
    • В системах управления электроприводами
  • Применяется в:
    • Блоках питания для компьютеров и ноутбуков
    • Автомобильных системах
    • Электроприборах
    • Устройствах для управления электроприводами
Выбрано: Показать

Характеристики FDN5630

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 1.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    400 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN563

Техническая документация

 FDN5630.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS138LT1GMOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    FDV304PMOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
    20Кешбэк 3 балла
    2SK4066-1EMOSFET N-CH 60V 100A TO262-3
    417Кешбэк 62 балла
    FDV303NMOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    BSS123Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    NDS0605MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
    48Кешбэк 7 баллов
    BSS138LТранзистор: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    32.6Кешбэк 4 балла
    SCH1332-TL-HMOSFET P-CH 20V 2.5A 6SCH
    71Кешбэк 10 баллов
    2N7002LT1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
    28.4Кешбэк 4 балла
    NTE4153NT1GMOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
    76Кешбэк 11 баллов
    3LP01SS-TL-E
    40Кешбэк 6 баллов
    BSS123LT1GТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    NVMFS5C410NLT1GMOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN
    762Кешбэк 114 баллов
    RFD14N05SM9AMOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
    97Кешбэк 14 баллов
    NTE4151PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
    27Кешбэк 4 балла
    NTR4101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
    51Кешбэк 7 баллов
    BS270SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    22.3Кешбэк 3 балла
    2N7002KT1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    MMBF170LT1GMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    NDT452APMOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
    264Кешбэк 39 баллов
    FQT7N10LTFMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
    142Кешбэк 21 балл
    FQB22P10TMMOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
    488Кешбэк 73 балла
    2V7002LT1GMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
    45Кешбэк 6 баллов
    FQT4N20LTFMOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
    159Кешбэк 23 балла
    5LN01M-TL-H
    39Кешбэк 5 баллов
    FDN5630MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
    104Кешбэк 15 баллов
    BVSS84LT1GMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    73Кешбэк 10 баллов
    NDT451ANMOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
    130Кешбэк 19 баллов
    FDMS86163PMOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
    570Кешбэк 85 баллов
    FDC5614PMOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
    160Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП