Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
FDP053N08B-F102
FDP053N08B-F102

FDP053N08B-F102

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDP053N08B-F102
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP053N08B-F102 при покупке от 1 шт 485.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP053N08B-F102 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDP053N08B-F102

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3mOhm @ 75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5960 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    146W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP053

Техническая документация

 FDP053N08B-F102.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 629 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    485 ₽
  • 10
    236 ₽
  • 100
    216 ₽
  • 500
    187 ₽
  • 1000
    184 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDP053N08B-F102
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP053N08B-F102 при покупке от 1 шт 485.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP053N08B-F102 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDP053N08B-F102

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    75A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3mOhm @ 75A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    85 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5960 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    146W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP053

Техническая документация

 FDP053N08B-F102.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFSL4127PBFMOSFET N-CH 200V 72A TO262
    1 118Кешбэк 167 баллов
    UPA2754GR-E1-ATN-CHANNEL POWER MOSFET
    320Кешбэк 48 баллов
    FDB0690N1507LMOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
    1 167Кешбэк 175 баллов
    SI2343CDS-T1-BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    138Кешбэк 20 баллов
    STW8N90K5MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
    827Кешбэк 124 балла
    DMP31D7LW-7MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323
    40Кешбэк 6 баллов
    R6524ENJTLMOSFET N-CH 650V 24A LPTS
    1 274Кешбэк 191 балл
    TK200F04N1L,LXGQMOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
    742Кешбэк 111 баллов
    STB5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
    478Кешбэк 71 балл
    IPD95R2K0P7ATMA1MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
    262Кешбэк 39 баллов
    IPAN80R280P7XKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO220
    714Кешбэк 107 баллов
    FDBL86361-F085MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
    1 127Кешбэк 169 баллов
    DMTH6016LK3-13MOSFET N-CH 60V 10.8 TO252 T&R
    125Кешбэк 18 баллов
    SSM3K345R,LFMOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F
    62Кешбэк 9 баллов
    MTD6N20E1N-CHANNEL POWER MOSFET
    29Кешбэк 4 балла
    UPA2718AGR-E2-ATMOSFET P-CH 30V 13A 8PSOP
    271Кешбэк 40 баллов
    STF26N60DM6MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
    767Кешбэк 115 баллов
    DMP2010UFV-13MOSFET P-CH 20V 50A POWERDI3333
    111Кешбэк 16 баллов
    2SK3348CNTL-EN-CHANNEL MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    NTMFS4C024NT3GMOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
    349Кешбэк 52 балла
    BSS123W RFGТранзистор: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
    40Кешбэк 6 баллов
    SCTWA10N120IC POWER MOSFET 1200V HIP247
    1 796Кешбэк 269 баллов
    PMPB43XPEAXMOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
    284Кешбэк 42 балла
    EPC2034CGANFET N-CH 200V 48A DIE
    1 881Кешбэк 282 балла
    IRFW730BTMN-CHANNEL POWER MOSFET
    142Кешбэк 21 балл
    DIT100N10MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
    276Кешбэк 41 балл
    IRF720PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
    304Кешбэк 45 баллов
    PXN6R2-25QLJPXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
    87Кешбэк 13 баллов
    SSP2N60AN-CHANNEL POWER MOSFET
    82Кешбэк 12 баллов
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    124Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП