Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDP2D3N10C

FDP2D3N10C

FDP2D3N10C
;
FDP2D3N10C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDP2D3N10C при покупке от 1 шт 1404.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP2D3N10C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP2D3N10C

FDP2D3N10C — это навесной MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом и укрепленным мостом управления. Производится Onsemi / Fairchild.

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 10 В
    • Номинальная мощность: 2.5 ВА
    • Максимальное токовое сопротивление: 1.9 Ω
    • Предел частоты работы: до 100 кГц
    • Тип: N-канальный
    • Строение: с укрепленным мостом управления
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря укрепленному мосту управления
    • Устойчивость к статическому электричеству
    • Низкое сопротивление
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
    • Необходимо наличие дополнительных компонентов для работы
  • Общее назначение:

    • Используется в различных приборах, где требуется высокая надежность и быстрый переключающий процесс. Основные области применения включают:

    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Регуляторы напряжения
    • Промышленное оборудование

    Эти MOSFETы подходят для использования в системах, где важна стабильная работа и высокая надежность.

Выбрано: Показать

Характеристики FDP2D3N10C

Техническая документация

FDP2D3N10C.pdf
pdf. 0 kb
  • 1011 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 404 ₽
  • 10
    758 ₽
  • 100
    700 ₽
  • 500
    684 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDP2D3N10C при покупке от 1 шт 1404.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP2D3N10C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP2D3N10C

FDP2D3N10C — это навесной MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом и укрепленным мостом управления. Производится Onsemi / Fairchild.

  • Основные параметры:
    • Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 10 В
    • Номинальная мощность: 2.5 ВА
    • Максимальное токовое сопротивление: 1.9 Ω
    • Предел частоты работы: до 100 кГц
    • Тип: N-канальный
    • Строение: с укрепленным мостом управления
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря укрепленному мосту управления
    • Устойчивость к статическому электричеству
    • Низкое сопротивление
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
    • Необходимо наличие дополнительных компонентов для работы
  • Общее назначение:

    • Используется в различных приборах, где требуется высокая надежность и быстрый переключающий процесс. Основные области применения включают:

    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Регуляторы напряжения
    • Промышленное оборудование

    Эти MOSFETы подходят для использования в системах, где важна стабильная работа и высокая надежность.

Выбрано: Показать

Характеристики FDP2D3N10C

Техническая документация

FDP2D3N10C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории