Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDP51N25

FDP51N25

FDP51N25
;
FDP51N25

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDP51N25 при покупке от 1 шт 545.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP51N25 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP51N25

FDP51N25 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение приключенного поля (VGS(th)): от -2 до -4 В
    • Рейтингный ток проводимости (ID(on)): 51 А
    • Рейтингное напряжение приключенного поля (VDS(on)): 250 В
    • Тип: N-канальный полупроводниковый MOSFET
    • Конвертер охлаждения: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая conductance
    • Малый динамический ток тока утечки
    • Доступен в компактном корпусе
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для работы на полной мощности
    • Уязвим к скачкам напряжения и перегрузкам
  • Общее назначение:
    • Используется для управления током в электронных цепях
    • Обеспечивает высокую эффективность в различных приложениях
    • Подходит для работы в широком диапазоне температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Приводы промышленного оборудования
    • Электропитание бытовых приборов
Выбрано: Показать

Характеристики FDP51N25

Техническая документация

FDP51N25.pdf
pdf. 0 kb
  • 128 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    545 ₽
  • 5
    424 ₽
  • 10
    354 ₽
  • 50
    332 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDP51N25 при покупке от 1 шт 545.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP51N25 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP51N25

FDP51N25 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 250V 51A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение приключенного поля (VGS(th)): от -2 до -4 В
    • Рейтингный ток проводимости (ID(on)): 51 А
    • Рейтингное напряжение приключенного поля (VDS(on)): 250 В
    • Тип: N-канальный полупроводниковый MOSFET
    • Конвертер охлаждения: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая conductance
    • Малый динамический ток тока утечки
    • Доступен в компактном корпусе
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для работы на полной мощности
    • Уязвим к скачкам напряжения и перегрузкам
  • Общее назначение:
    • Используется для управления током в электронных цепях
    • Обеспечивает высокую эффективность в различных приложениях
    • Подходит для работы в широком диапазоне температур
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Приводы промышленного оборудования
    • Электропитание бытовых приборов
Выбрано: Показать

Характеристики FDP51N25

Техническая документация

FDP51N25.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории