Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDP8N50NZ
FDP8N50NZ

FDP8N50NZ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FDP8N50NZ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP8N50NZ при покупке от 1 шт 475.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP8N50NZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDP8N50NZ

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    735 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    130W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
Техническая документация
 FDP8N50NZ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    475 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FDP8N50NZ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP8N50NZ при покупке от 1 шт 475.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP8N50NZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDP8N50NZ

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    850mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    735 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    130W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
Техническая документация
 FDP8N50NZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STB37N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
    1 283Кешбэк 192 балла
    SIHP12N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    631Кешбэк 94 балла
    IRF7470TRPBFMOSFET N-CH 40V 10A 8SO
    196Кешбэк 29 баллов
    NTD4965N-35GMOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
    78Кешбэк 11 баллов
    FDD16AN08A0MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
    356Кешбэк 53 балла
    IPDH4N03LAGMOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
    200Кешбэк 30 баллов
    DMN65D8LFB-7MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
    47Кешбэк 7 баллов
    AUIRF1404SТранзистор: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    576Кешбэк 86 баллов
    SI1050X-T1-GE3MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
    138Кешбэк 20 баллов
    CPH3430-TL-EMOSFET N-CH 60V 2A 3CPH
    78Кешбэк 11 баллов
    FDP18N20FMOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
    391Кешбэк 58 баллов
    IRF7205TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
    119Кешбэк 17 баллов
    IXTH62N65X2MOSFET N-CH 650V 62A TO247
    1 514Кешбэк 227 баллов
    RQ6E045BNTCRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
    104Кешбэк 15 баллов
    RQ1A070ZPTRMOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
    320Кешбэк 48 баллов
    ISL9N303AS3STMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
    351Кешбэк 52 балла
    NVD5802NT4GMOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
    144Кешбэк 21 балл
    IRF520SPBFMOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
    294Кешбэк 44 балла
    FQPF6N80TMOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
    184Кешбэк 27 баллов
    IXTA06N120PMOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
    942Кешбэк 141 балл
    ECH8310-TL-HMOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
    205Кешбэк 30 баллов
    IRFP460APBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 023Кешбэк 153 балла
    TP5322K1-GMOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
    134Кешбэк 20 баллов
    FDMS8670ASMOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN
    231Кешбэк 34 балла
    FDMC7680MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
    242Кешбэк 36 баллов
    HUF76639S3STТранзистор: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
    426Кешбэк 63 балла
    IXFH18N100Q3MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
    3 159Кешбэк 473 балла
    IRFR120ZTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
    158Кешбэк 23 балла
    FDMS86150ET100MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
    1 436Кешбэк 215 баллов
    FDP8860MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
    465Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП