Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDS4675
  • В избранное
  • В сравнение
FDS4675

FDS4675

FDS4675
;
FDS4675

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDS4675
  • Описание:
    MOSFET P-CH 40V 11A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS4675 при покупке от 1 шт 279.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS4675 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS4675

FDS4675 ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)) - 40 В
    • Номинальный ток (ID(on)) - 11 А
    • Пакет - 8SOIC
    • Тип - полупроводниковый транзистор МОСФЕТ с положительным каналом
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при рабочем токе до 11 А
    • Высокое напряжения блокировки (40 В)
    • Компактный размер благодаря 8SOIC пакету
    • Эффективное управление током через низкое напряжение ввода
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать ограничения по напряжению ввода для предотвращения повреждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в электрических цепях
    • Использование в системах управления двигателей
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Устройства бытовой электроники
    • Промышленные системы управления
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики FDS4675

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4350 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    FDS46

Техническая документация

 FDS4675.pdf
pdf. 0 kb
  • 194 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    279 ₽
  • 5
    220 ₽
  • 10
    193 ₽
  • 50
    141 ₽
  • 100
    136 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDS4675
  • Описание:
    MOSFET P-CH 40V 11A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS4675 при покупке от 1 шт 279.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS4675 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS4675

FDS4675 ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)) - 40 В
    • Номинальный ток (ID(on)) - 11 А
    • Пакет - 8SOIC
    • Тип - полупроводниковый транзистор МОСФЕТ с положительным каналом
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при рабочем токе до 11 А
    • Высокое напряжения блокировки (40 В)
    • Компактный размер благодаря 8SOIC пакету
    • Эффективное управление током через низкое напряжение ввода
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать ограничения по напряжению ввода для предотвращения повреждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в электрических цепях
    • Использование в системах управления двигателей
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Устройства бытовой электроники
    • Промышленные системы управления
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики FDS4675

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4350 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    FDS46

Техническая документация

 FDS4675.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDB44N25TMТранзистор: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
    393Кешбэк 58 баллов
    FDB33N25TMMOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    BSS123LT1GТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    48Кешбэк 7 баллов
    FQA36P15MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
    879Кешбэк 131 балл
    FDD8447LMOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAK
    164Кешбэк 24 балла
    RFP70N06MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
    317Кешбэк 47 баллов
    NTMS4N01R2GMOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
    92Кешбэк 13 баллов
    FDS4470MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    NTS2101PT1GMOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
    60Кешбэк 9 баллов
    NDS0610MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
    42Кешбэк 6 баллов
    NTR4501NT1GMOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    FDC610PZMOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
    110Кешбэк 16 баллов
    FDD306PMOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
    251Кешбэк 37 баллов
    FQB34P10TMMOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
    552Кешбэк 82 балла
    FQB12P20TMMOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
    464Кешбэк 69 баллов
    FDS8880MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
    147Кешбэк 22 балла
    FDB52N20TMMOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    FDC655BNMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
    110Кешбэк 16 баллов
    FDS6679AZТранзистор: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
    262Кешбэк 39 баллов
    FDG332PZMOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
    62Кешбэк 9 баллов
    CPH6443-TL-HMOSFET N-CH 35V 6A 6CPH
    77Кешбэк 11 баллов
    MMBF170MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    FDB3652MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
    514Кешбэк 77 баллов
    FDH44N50MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
    1 806Кешбэк 270 баллов
    FDS4675MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
    279Кешбэк 41 балл
    FDPF12N50TMOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
    387Кешбэк 58 баллов
    FDB035AN06A0MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
    962Кешбэк 144 балла
    NTK3134NT1GMOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
    92Кешбэк 13 баллов
    NTJS4151PT1GMOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
    70Кешбэк 10 баллов
    FDP18N50MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
    611Кешбэк 91 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП