Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
FDS4897C
  • В избранное
  • В сравнение
FDS4897C

FDS4897C

FDS4897C
;
FDS4897C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDS4897C
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS4897C при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS4897C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS4897C

FDS4897C от Onsemi / Fairchild — MOSFET N/P-канальный с напряжением срабатывания 40В, мощностью 6.2/4.4А в обкладке 8SOIC.

  • Основные параметры:
    • N/P-канальный MOSFET
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 40В
    • Максимальная непрерывная токовая способность (ID(on)): 6.2А (N-канальный) / 4.4А (P-канальный)
    • Обкладка: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перегреву
    • Доступность различных типов (N/P-канальный)
    • Компактная обкладка 8SOIC для экономии места
  • Минусы:
    • Требует дополнительного регулирования для защиты от перегрузки
    • Возможны проблемы с радиальным нагревом при использовании в больших токах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах управления двигателей, преобразователях питания, стабилизаторах напряжения
    • Подходит для применения в высокочастотных схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства потребления энергии
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDS4897C

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.2A, 4.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29mOhm @ 6.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    760pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    900mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC

Техническая документация

 FDS4897C.pdf
pdf. 0 kb
  • 18188 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    265 ₽
  • 10
    167 ₽
  • 500
    87 ₽
  • 2500
    83 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDS4897C
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.2/4.4A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS4897C при покупке от 1 шт 265.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS4897C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS4897C

FDS4897C от Onsemi / Fairchild — MOSFET N/P-канальный с напряжением срабатывания 40В, мощностью 6.2/4.4А в обкладке 8SOIC.

  • Основные параметры:
    • N/P-канальный MOSFET
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 40В
    • Максимальная непрерывная токовая способность (ID(on)): 6.2А (N-канальный) / 4.4А (P-канальный)
    • Обкладка: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Устойчивость к перегреву
    • Доступность различных типов (N/P-канальный)
    • Компактная обкладка 8SOIC для экономии места
  • Минусы:
    • Требует дополнительного регулирования для защиты от перегрузки
    • Возможны проблемы с радиальным нагревом при использовании в больших токах
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах управления двигателей, преобразователях питания, стабилизаторах напряжения
    • Подходит для применения в высокочастотных схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства потребления энергии
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDS4897C

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.2A, 4.4A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    29mOhm @ 6.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    760pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    900mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC

Техническая документация

 FDS4897C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTJD4152PT1GТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
    78Кешбэк 11 баллов
    SI1926DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
    122Кешбэк 18 баллов
    SI6562CDQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
    161Кешбэк 24 балла
    RJK03P7DPA-00#J5AТранзистор: POWER, N-CHANNEL MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    RJK03P9DPA-00#J5AТранзистор: POWER, N-CHANNEL MOSFET
    311Кешбэк 46 баллов
    NDS9947Транзистор: P-CHANNEL POWER MOSFET
    189Кешбэк 28 баллов
    EM6K33T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
    117Кешбэк 17 баллов
    SSM6N56FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
    69Кешбэк 10 баллов
    DMN601DMK-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
    126Кешбэк 18 баллов
    FDME1034CZTТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
    196Кешбэк 29 баллов
    2N7002VC-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    100Кешбэк 15 баллов
    NTZD3155CT1GТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
    80Кешбэк 12 баллов
    FW274-TL-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    96Кешбэк 14 баллов
    FW276-TL-2HТранзистор: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    109Кешбэк 16 баллов
    SI4932DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    274Кешбэк 41 балл
    AON6816Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6
    285Кешбэк 42 балла
    BSS84AKV,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 50V 170MA SOT666
    70Кешбэк 10 баллов
    CSD87353Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    465Кешбэк 69 баллов
    SIA923AEDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
    170Кешбэк 25 баллов
    MTM78E2B0LBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
    205Кешбэк 30 баллов
    NTLUD3191PZTBGТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN
    48Кешбэк 7 баллов
    STL8DN6LF3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
    335Кешбэк 50 баллов
    PMGD290XN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    DMP4047SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
    204Кешбэк 30 баллов
    NTLJD3119CTBGТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
    230Кешбэк 34 балла
    QS6K1TRТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
    191Кешбэк 28 баллов
    DMN601VK-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563
    69Кешбэк 10 баллов
    EM6K31T2RТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
    143Кешбэк 21 балл
    FDMA1024NZТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
    202Кешбэк 30 баллов
    DMP6110SSD-13Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
    170Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП