Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDS6614A

FDS6614A

FDS6614A
;
FDS6614A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDS6614A при покупке от 254 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6614A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6614A

FDS6614A Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом.

  • Основные параметры:
    • Напряжение падения Uds(max) = 30 В
    • Ток прямого тока Id(max) = 9.3 А
    • Количество выводов = 8 (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкое значение Rds(on)
    • Малый размер и вес благодаря использованию SOIC-пакета
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Требует правильной термостартерной системы для предотвращения перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за ограниченного диапазона частот
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Подключение и отключение нагрузок
    • Диодная замена в некоторых случаях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания
    • Мощные источники напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Периферийные устройства компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6614A

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 9.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1160 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • по запросу
Минимально и кратно 254 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDS6614A при покупке от 254 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6614A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6614A

FDS6614A Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом.

  • Основные параметры:
    • Напряжение падения Uds(max) = 30 В
    • Ток прямого тока Id(max) = 9.3 А
    • Количество выводов = 8 (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Низкое значение Rds(on)
    • Малый размер и вес благодаря использованию SOIC-пакета
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Требует правильной термостартерной системы для предотвращения перегрева
    • Не подходит для высокочастотных приложений из-за ограниченного диапазона частот
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Подключение и отключение нагрузок
    • Диодная замена в некоторых случаях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания
    • Мощные источники напряжения
    • Промышленное оборудование
    • Периферийные устройства компьютеров
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6614A

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 9.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1160 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 254 шт