Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDS6694

FDS6694

FDS6694
;
FDS6694

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDS6694 при покупке от 497 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6694 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6694

FDS6694 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение включения (VGS(th)): 2.5 В
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)): 12 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 30 В
    • Количество выводов: 8 (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Малый динамический токовый коэффициент
    • Низкое напряжение включения
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Наличие межпакетного ёмкости может вызывать помехи при работе
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроллеры для электронных устройств
    • Автоматические системы управления
    • Драйверы для светодиодных лент
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Телевизоры и мультимедийные устройства
    • Системы энергоснабжения
    • Индустриальные контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6694

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1293 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • по запросу
Минимально и кратно 497 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDS6694 при покупке от 497 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6694 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6694

FDS6694 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение включения (VGS(th)): 2.5 В
    • Номинальная токовая характеристика (ID(on)): 12 А
    • Номинальное напряжение (VDS): 30 В
    • Количество выводов: 8 (SOIC)
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность
    • Малый динамический токовый коэффициент
    • Низкое напряжение включения
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Простота применения
  • Минусы:
    • Наличие межпакетного ёмкости может вызывать помехи при работе
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Контроллеры для электронных устройств
    • Автоматические системы управления
    • Драйверы для светодиодных лент
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Автомобильные системы
    • Телевизоры и мультимедийные устройства
    • Системы энергоснабжения
    • Индустриальные контроллеры
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6694

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1293 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 497 шт