Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDS7766S

FDS7766S

FDS7766S
;
FDS7766S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDS7766S при покупке от 133 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS7766S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS7766S

FDS7766S Fairchild Semiconductor SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

  • Основные параметры:
    • VGS(th) (тreshold voltage): 2.0 V
    • ID(on) (drain current at VGS = 10 V): 350 mA
    • RDS(on) (on-state resistance at VGS = 10 V): 24 mΩ
    • Ptot (total power dissipation): 0.5 W
    • Tcase (case temperature): -40°C to +150°C
  • Плюсы:
    • Низкий тreshold voltage
    • Низкое значение RDS(on)
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкий корпус
  • Минусы:
    • Низкая мощность
    • Требует дополнительного прохолдника при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление небольшими токами в электронных схемах
    • Изоляция источников питания
    • Переключение цифровых сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (мобильные телефоны, планшеты)
    • Автомобили (системы управления двигателем, информационные системы)
    • Компьютерное оборудование (модули питания)
    • Игровые приставки и телевизоры
    • Домашние аудио-видео системы
Выбрано: Показать

Характеристики FDS7766S

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4785 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

FDS7766S.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 133 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDS7766S при покупке от 133 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS7766S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS7766S

FDS7766S Fairchild Semiconductor SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

  • Основные параметры:
    • VGS(th) (тreshold voltage): 2.0 V
    • ID(on) (drain current at VGS = 10 V): 350 mA
    • RDS(on) (on-state resistance at VGS = 10 V): 24 mΩ
    • Ptot (total power dissipation): 0.5 W
    • Tcase (case temperature): -40°C to +150°C
  • Плюсы:
    • Низкий тreshold voltage
    • Низкое значение RDS(on)
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и легкий корпус
  • Минусы:
    • Низкая мощность
    • Требует дополнительного прохолдника при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление небольшими токами в электронных схемах
    • Изоляция источников питания
    • Переключение цифровых сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (мобильные телефоны, планшеты)
    • Автомобили (системы управления двигателем, информационные системы)
    • Компьютерное оборудование (модули питания)
    • Игровые приставки и телевизоры
    • Домашние аудио-видео системы
Выбрано: Показать

Характеристики FDS7766S

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4785 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

FDS7766S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 133 шт