Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDS9400A

FDS9400A

FDS9400A
;
FDS9400A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDS9400A при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS9400A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS9400A

FDS9400A onsemi MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Напряжение на разделяющей поверхности: 30В
    • Разрядный ток: 3.4А
    • Форм-фактор: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малое сопротивление при разряде
    • Низкий коэффициент дугового эффекта
    • Малые размеры благодаря 8SOIC упаковке
  • Минусы:
    • Требует внешнего источника питания для управления
    • При высоких температурах может снижаться коэффициент передачи
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управляемого открытия и закрытия цепей
    • Применяется в системах управления силовыми источниками
    • Используется в различных приборах, где требуется точное управление нагрузкой
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления нагрузками в бытовой технике
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDS9400A

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130mOhm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    205 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

FDS9400A.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDS9400A при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS9400A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS9400A

FDS9400A onsemi MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Напряжение на разделяющей поверхности: 30В
    • Разрядный ток: 3.4А
    • Форм-фактор: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малое сопротивление при разряде
    • Низкий коэффициент дугового эффекта
    • Малые размеры благодаря 8SOIC упаковке
  • Минусы:
    • Требует внешнего источника питания для управления
    • При высоких температурах может снижаться коэффициент передачи
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих управляемого открытия и закрытия цепей
    • Применяется в системах управления силовыми источниками
    • Используется в различных приборах, где требуется точное управление нагрузкой
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления нагрузками в бытовой технике
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDS9400A

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130mOhm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    205 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Техническая документация

FDS9400A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории