Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDV304P
  • В избранное
  • В сравнение
FDV304P

FDV304P

FDV304P
;
FDV304P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDV304P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена FDV304P при покупке от 1 шт 16.20 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDV304P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDV304P

FDV304P ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый MOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение блокировки: 25В
    • Номинальный ток при 25°C: 460mA
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение тока шотт키
    • Компактный размер благодаря SOT23
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Требуют правильной теплоотвода для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобилей
    • Игровых конsoles
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики FDV304P

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    460mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    63 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDV304

Техническая документация

 FDV304P.pdf
pdf. 0 kb
  • 19212 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    16.2 ₽
  • 50
    9 ₽
  • 500
    6.9 ₽
  • 3000
    6 ₽
  • 9000
    5.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDV304P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена FDV304P при покупке от 1 шт 16.20 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDV304P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDV304P

FDV304P ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый MOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение блокировки: 25В
    • Номинальный ток при 25°C: 460mA
    • Форм-фактор: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое значение тока шотт키
    • Компактный размер благодаря SOT23
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Требуют правильной теплоотвода для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузок
  • Применяется в:
    • Мобильных устройствах
    • Автомобилей
    • Игровых конsoles
    • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики FDV304P

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    460mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    63 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDV304

Техническая документация

 FDV304P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PSMN019-100YLXMOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56
    325Кешбэк 48 баллов
    CSD17579Q3ATMOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
    197Кешбэк 29 баллов
    PMN25UN,115MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
    20.4Кешбэк 3 балла
    IRLHM620TRPBFMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
    247Кешбэк 37 баллов
    BUK7611-55B,118
    331Кешбэк 49 баллов
    DMN4026SK3-13MOSFET N-CH 40V 28A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    FDD4141MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
    186Кешбэк 27 баллов
    NTD70N03R-001Транзистор: MOSFET N-CH 25V 10A/32A IPAK
    39Кешбэк 5 баллов
    SPD02N80C3ATMA1MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
    156Кешбэк 23 балла
    IRF8327STRPBFMOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
    175Кешбэк 26 баллов
    IRF6646TRPBFMOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
    461Кешбэк 69 баллов
    IPD50N03S2L06ATMA1MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
    442Кешбэк 66 баллов
    IRFH7936TRPBFIRFH7936 - N-CHANNEL
    99Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4825NFET1GMOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
    364Кешбэк 54 балла
    PSMN3R5-30YL,115Транзистор: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    214Кешбэк 32 балла
    FDB2570MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
    275Кешбэк 41 балл
    FDMC86259PMOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
    623Кешбэк 93 балла
    FCP400N80ZMOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
    660Кешбэк 99 баллов
    FDMC8010ET30MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
    191Кешбэк 28 баллов
    PSMN7R0-30MLC,115MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
    175Кешбэк 26 баллов
    HUFA75345P3MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7135DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    DMT6009LSS-13MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
    182Кешбэк 27 баллов
    FDMS5672MOSFET N-CH 60V 10.6A/22A 8MLP
    708Кешбэк 106 баллов
    QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
    115Кешбэк 17 баллов
    SI3474DV-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
    100Кешбэк 15 баллов
    MVMBF0201NLT1GMOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3
    134Кешбэк 20 баллов
    PSMN2R8-25MLC,115MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
    316Кешбэк 47 баллов
    NTMFS4936NCT1G11.6A, 30V, 0.0048OHM, N-CHANNE
    48Кешбэк 7 баллов
    NVMFS5C450NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    143Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП