Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FF1200R17IP5PBPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FF1200R17IP5PBPSA1

FF1200R17IP5PBPSA1

FF1200R17IP5PBPSA1
;
FF1200R17IP5PBPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF1200R17IP5PBPSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена FF1200R17IP5PBPSA1 при покупке от 1 шт 119829.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF1200R17IP5PBPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF1200R17IP5PBPSA1

FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 1200 В
    • Максимальная частота работы (fmax): 17 кГц
    • Максимальный ток коллектора (IC(max)): 120 А
    • Рабочий диапазон температур: -40°C до +175°C
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и высоких напряжениях
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шума при работе
    • Возможность работы при высоких температурах
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Сложность в управлении по сравнению с MOSFET
    • Высокое значение тока течения при переходном процессе
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях напряжения
    • В автомобилестроении для управления двигателем
    • В системах управления электроприводами
    • Для управления мощными электрическими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи
    • Автомобили с гибридными и электрическими двигателями
    • Электроприводы станков и оборудования
    • Энергосберегающие системы
    • Большие источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики FF1200R17IP5PBPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.2 kA
  • Рассеивание мощности
    20 mW
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 1200A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    68 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF1200

Техническая документация

 FF1200R17IP5PBPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 567 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    119 829 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF1200R17IP5PBPSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBTВсе характеристики

Минимальная цена FF1200R17IP5PBPSA1 при покупке от 1 шт 119829.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF1200R17IP5PBPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF1200R17IP5PBPSA1

FF1200R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 1200 В
    • Максимальная частота работы (fmax): 17 кГц
    • Максимальный ток коллектора (IC(max)): 120 А
    • Рабочий диапазон температур: -40°C до +175°C
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и высоких напряжениях
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шума при работе
    • Возможность работы при высоких температурах
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Сложность в управлении по сравнению с MOSFET
    • Высокое значение тока течения при переходном процессе
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях напряжения
    • В автомобилестроении для управления двигателем
    • В системах управления электроприводами
    • Для управления мощными электрическими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи
    • Автомобили с гибридными и электрическими двигателями
    • Электроприводы станков и оборудования
    • Энергосберегающие системы
    • Большие источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики FF1200R17IP5PBPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.2 kA
  • Рассеивание мощности
    20 mW
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 1200A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    68 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF1200

Техническая документация

 FF1200R17IP5PBPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FP40R12KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311
    15 094Кешбэк 2 264 балла
    FP50R12W2T7BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
    9 545Кешбэк 1 431 балл
    FF600R12KE4EBOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 600A
    30 723Кешбэк 4 608 баллов
    FF450R12ME4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 675A 2250W
    25 017Кешбэк 3 752 балла
    FP15R06W1E3B11BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 22A 81W
    5 799Кешбэк 869 баллов
    FP35R12KT4PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 70A 20MW
    15 416Кешбэк 2 312 баллов
    F4150R12KS4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 180A 960W
    36 206Кешбэк 5 430 баллов
    FS450R12KE3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 2100W
    115 382Кешбэк 17 307 баллов
    FF1200R17KE3NOSA1Транзистор: IGBT MODULE VCES 1700V 1200A
    197 983Кешбэк 29 697 баллов
    FF300R12ME4PBOSA1Транзистор: IGBT MODULE MED PWR ECONOD-3
    21 976Кешбэк 3 296 баллов
    FF300R12KT3EHOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 480A 1450W
    23 885Кешбэк 3 582 балла
    FF600R12ME4B72BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
    31 064Кешбэк 4 659 баллов
    FF600R12ME4CBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1060A 4050W
    44 972Кешбэк 6 745 баллов
    FZ900R12KP4HOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 900A
    25 600Кешбэк 3 840 баллов
    FS150R12KT3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 700W
    24 277Кешбэк 3 641 балл
    FS200R12KT4RBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    23 334Кешбэк 3 500 баллов
    FS100R06KE3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 600V 100A 335W
    16 840Кешбэк 2 526 баллов
    FF300R12ME4B11BPSA2Транзистор: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
    20 772Кешбэк 3 115 баллов
    FP25R12W1T7PBPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY1B-711
    8 461Кешбэк 1 269 баллов
    F475R12KS4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211
    17 455Кешбэк 2 618 баллов
    FS100R12N2T7B15BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    14 227Кешбэк 2 134 балла
    DF600R12IP4DBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
    77 138Кешбэк 11 570 баллов
    FF300R12KS4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 300A
    30 599Кешбэк 4 589 баллов
    FP35R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 54A 215W
    9 245Кешбэк 1 386 баллов
    F4200R17N3E4BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 200A 20MW
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    FS660R08A6P2FBBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE
    53 190Кешбэк 7 978 баллов
    FF600R12IP4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
    81 431Кешбэк 12 214 баллов
    FZ600R12KS4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 700A 3900W
    31 555Кешбэк 4 733 балла
    FS150R07N3E4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 150A 430W
    18 949Кешбэк 2 842 балла
    FS20R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 35A 135W
    4 754Кешбэк 713 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП