Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4PHOSA1
;
FF200R12KS4PHOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF200R12KS4PHOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 275A 1400WВсе характеристики

Минимальная цена FF200R12KS4PHOSA1 при покупке от 1 шт 26040.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF200R12KS4PHOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MOD 1200V 275A 1400W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 1200 В
    • Номинальный ток (IN): 275 А
    • Мощность (Ptot): 1400 ВА
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при больших нагрузках
    • Уменьшение тепловых потерь
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В системах управления двигателей
    • Для регулирования мощности в энергосистемах
    • В системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи частоты для промышленного оборудования
    • Системы управления электродвигателями
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления питанием в промышленных установках
Выбрано: Показать

Характеристики FF200R12KS4PHOSA1

  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    275 A
  • Рассеивание мощности
    1400 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    13 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF200R12
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    26 040 ₽
  • 16
    22 979 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF200R12KS4PHOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 275A 1400WВсе характеристики

Минимальная цена FF200R12KS4PHOSA1 при покупке от 1 шт 26040.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF200R12KS4PHOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MOD 1200V 275A 1400W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 1200 В
    • Номинальный ток (IN): 275 А
    • Мощность (Ptot): 1400 ВА
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при больших нагрузках
    • Уменьшение тепловых потерь
    • Простота управления
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В системах управления двигателей
    • Для регулирования мощности в энергосистемах
    • В системах управления электропитанием
  • В каких устройствах применяется:
    • Преобразователи частоты для промышленного оборудования
    • Системы управления электродвигателями
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления питанием в промышленных установках
Выбрано: Показать

Характеристики FF200R12KS4PHOSA1

  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    275 A
  • Рассеивание мощности
    1400 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 200A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    13 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF200R12

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории