FF200R17KE3S4HOSA1

FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль:

• VCES (Максимальное напряжение ведущего поля): 1200В
• ID (Максимальный ток коллектора): 200А
• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Производитель: Infineon Technologies

Основные параметры:

• Мощность: до 240 кВА
• Частота работы: до 50 кГц
• Коэффициент мощности: до 98%
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Плюсы:

• Высокая эффективность при работе
• Низкое сопротивление ведущего поля
• Долгий срок службы
• Простота в использовании

Минусы:

• Высокие требования к проектированию системы охлаждения
• Сложность в управлении при высокой частоте работы
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

• Использование в промышленных преобразователях питания
• Автомобильных системах
• Устройствах управления двигателем
• Энергосберегающих системах

В каких устройствах применяется:

• Инверторы для электроприводов
• Преобразователи напряжения
• Беспроводные зарядные устройства
• Стабилизаторы напряжения