Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FF450R12ME4BOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FF450R12ME4BOSA1

FF450R12ME4BOSA1

FF450R12ME4BOSA1
;
FF450R12ME4BOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF450R12ME4BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 675A 2250WВсе характеристики

Минимальная цена FF450R12ME4BOSA1 при покупке от 1 шт 25017.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF450R12ME4BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF450R12ME4BOSA1

FF450R12ME4BOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MOD 1200V 675A 2250W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 675А
    • Мощность: 2250В·А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость переключения
    • Малый тепловой напряженности
    • Высокий коэффициент усиления
    • Экономичность в использовании энергии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных преобразователях частоты
    • Для управления мощными электродвигателями
    • В системах управления энергоснабжением
    • Для управления активной фильтрации
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные установки преобразования напряжения и частоты (ВВЧ)
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления электроприводом
    • Стационарные источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики FF450R12ME4BOSA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    675 A
  • Рассеивание мощности
    2250 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 450A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    3 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    28 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF450R12

Техническая документация

 FF450R12ME4BOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    25 017 ₽
  • 10
    21 887 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF450R12ME4BOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 675A 2250WВсе характеристики

Минимальная цена FF450R12ME4BOSA1 при покупке от 1 шт 25017.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF450R12ME4BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF450R12ME4BOSA1

FF450R12ME4BOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MOD 1200V 675A 2250W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 675А
    • Мощность: 2250В·А
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая скорость переключения
    • Малый тепловой напряженности
    • Высокий коэффициент усиления
    • Экономичность в использовании энергии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных преобразователях частоты
    • Для управления мощными электродвигателями
    • В системах управления энергоснабжением
    • Для управления активной фильтрации
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные установки преобразования напряжения и частоты (ВВЧ)
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления электроприводом
    • Стационарные источники бесперебойного питания
Выбрано: Показать

Характеристики FF450R12ME4BOSA1

  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    675 A
  • Рассеивание мощности
    2250 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 450A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    3 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    28 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF450R12

Техническая документация

 FF450R12ME4BOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FP50R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 50A 280W
    16 259Кешбэк 2 438 баллов
    DF80R12W2H3FB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 20A 20MW
    10 955Кешбэк 1 643 балла
    FS50R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 83A 335W
    8 243Кешбэк 1 236 баллов
    FZ2400R12HE4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3560A
    164 732Кешбэк 24 709 баллов
    FP25R12W2T7BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
    8 274Кешбэк 1 241 балл
    DDB6U75N16W1RBOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 69A 335W
    6 266Кешбэк 939 баллов
    F3L75R12W1H3B27BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 45A 275W
    5 641Кешбэк 846 баллов
    FF200R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1050W
    21 915Кешбэк 3 287 баллов
    FF300R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 440A 1450W
    24 950Кешбэк 3 742 балла
    FS100R12KE3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 140A 480W
    21 402Кешбэк 3 210 баллов
    FS100R12PT4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 135A 500W
    25 554Кешбэк 3 833 балла
    FS200R12KT4RB11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    23 594Кешбэк 3 539 баллов
    F3L75R07W2E3B11BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 650V 95A 250W
    8 115Кешбэк 1 217 баллов
    IFF600B12ME4PB11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 40W
    48 040Кешбэк 7 206 баллов
    FF900R12ME7B11NPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    34 196Кешбэк 5 129 баллов
    F3L200R07W2S5FPB56BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
    15 244Кешбэк 2 286 баллов
    F3L200R12W2H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 600W
    12 430Кешбэк 1 864 балла
    FF300R07ME4B11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO
    17 750Кешбэк 2 662 балла
    FP10R12W1T7B3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    5 883Кешбэк 882 балла
    FP25R12KS4CBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 40A 230W
    21 458Кешбэк 3 218 баллов
    FP40R12KE3GBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 55A 210W
    18 015Кешбэк 2 702 балла
    FF450R12ME4PB11BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 450A
    26 808Кешбэк 4 021 балл
    FF600R12ME4AB11BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 3350W
    46 637Кешбэк 6 995 баллов
    FZ2400R17HE4B9HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 2400A
    171 409Кешбэк 25 711 баллов
    FP40R12KE3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311
    15 094Кешбэк 2 264 балла
    FP50R12W2T7BPSA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-711
    9 545Кешбэк 1 431 балл
    FF600R12KE4EBOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 600A
    30 723Кешбэк 4 608 баллов
    FF450R12ME4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 675A 2250W
    25 017Кешбэк 3 752 балла
    FP15R06W1E3B11BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 22A 81W
    5 799Кешбэк 869 баллов
    FP35R12KT4PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 70A 20MW
    15 416Кешбэк 2 312 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП